絕緣體上的硅鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG®510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：

用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。

特色：

EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。 在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。絕緣體上的硅鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 浙江EVG810 LT鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對(duì)于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。EVG服務(wù)：高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。浙江EVG810 LT鍵合機(jī)

EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。絕緣體上的硅鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。絕緣體上的硅鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品