江蘇氮化鎵鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2023-02-28

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對準(zhǔn)技術(shù),與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比,BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。江蘇氮化鎵鍵合機(jī)

江蘇氮化鎵鍵合機(jī),鍵合機(jī)

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨(dú)的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。高精密儀器鍵合機(jī)保修期多久EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計,能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。

江蘇氮化鎵鍵合機(jī),鍵合機(jī)

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途:薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動系統(tǒng),用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層,該疊層由器件晶圓,載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上,以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸。特征:開放式膠粘劑平臺解鍵合選項(xiàng):熱滑解鍵合解鍵合機(jī)械解鍵合程序控制系統(tǒng)實(shí)時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨(dú)特功能多種卡盤設(shè)計,可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)晶片ZUI大300mm高達(dá)12英寸的薄膜組態(tài)1個解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力

從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項(xiàng)目的精致性,由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度,通常jin應(yīng)用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng),很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。

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EVG®540自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī),設(shè)計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)計,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機(jī),蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew®和MBA300自動處理多達(dá)四個鍵合卡盤符合高安全標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機(jī)器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計,并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強(qiáng)的過程控制和自動化功能,可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機(jī)器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。EVG501晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。晶圓片鍵合機(jī)摩擦學(xué)應(yīng)用

以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長。江蘇氮化鎵鍵合機(jī)

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,廣FAN用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓??梢允褂藐枠O鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na2O)。江蘇氮化鎵鍵合機(jī)

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