BONDSCALE鍵合機(jī)供應(yīng)商家

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會(huì)在ZUI終測試時(shí)被拒絕。一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的zhuan用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。BONDSCALE鍵合機(jī)供應(yīng)商家

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。中國香港鍵合機(jī)微流控應(yīng)用我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī)器。

根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。BONDSCALE鍵合機(jī)供應(yīng)商家

EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500套。BONDSCALE鍵合機(jī)供應(yīng)商家

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器（面對面，背面，紅外和透明對準(zhǔn)） 無需Z軸運(yùn)動(dòng)，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動(dòng)或全自動(dòng)配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ® NT選件 可以與EVG組合® 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ® 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ®有帶盒對盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站（蕞/大200毫米）或2個(gè)FOUP加載端口（300毫米）BONDSCALE鍵合機(jī)供應(yīng)商家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是一家集生產(chǎn)科研、加工、銷售為一體的****，公司成立于2002-02-07，位于金高路2216弄35號6幢306-308室。公司誠實(shí)守信，真誠為客戶提供服務(wù)。公司主要經(jīng)營半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀等產(chǎn)品，我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊(duì)伍，本著誠信經(jīng)營、理解客戶需求為經(jīng)營原則，公司通過良好的信譽(yù)和周到的售前、售后服務(wù)，贏得用戶的信賴和支持。公司與行業(yè)上下游之間建立了長久親密的合作關(guān)系，確保半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)，絕不因價(jià)格而放棄質(zhì)量和聲譽(yù)。在市場競爭日趨激烈的現(xiàn)在，我們承諾保證半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀質(zhì)量和服務(wù)，再創(chuàng)佳績是我們一直的追求，我們真誠的為客戶提供真誠的服務(wù)，歡迎各位新老客戶來我公司參觀指導(dǎo)。