海南圖像傳感器鍵合機

來源: 發(fā)布時間:2023-05-28

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術,可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG®850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護膜剝離 光學對準 加熱層壓鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用實用的技術。海南圖像傳感器鍵合機

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表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷,其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ra < 0. 5 nm) ,有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間,加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度,即 363 ℃ , 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子,達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),冷卻后形成良好的鍵合[12,13]。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合,達到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點。海南EVG810 LT鍵合機EVG501晶圓鍵合機系統(tǒng):真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

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鍵合對準機系統(tǒng) 1985年,隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明,EVG革新了MEMS技術,并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標準。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性以及模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程。包含以下的型號:EVG610BA鍵合對準系統(tǒng);EVG620BA鍵合對準系統(tǒng);EVG6200BA鍵合對準系統(tǒng);SmartViewNT鍵合對準系統(tǒng);

目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設計,能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術轉(zhuǎn)換。

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1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實現(xiàn)圖形化,應力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進一步優(yōu)化,對工藝參數(shù)進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。福建鍵合機現(xiàn)場服務

旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。海南圖像傳感器鍵合機

EVG®6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準,用于內(nèi)部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:3個卡帶站 可選:蕞多5個站海南圖像傳感器鍵合機

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