凌越通信中繼設(shè)備方案行情
上海對(duì)講機(jī)公司批發(fā)凌越通信供
對(duì)講機(jī)常見故障問題與解決方法
對(duì)講機(jī)常見故障問題與解決方法,上海凌越實(shí)業(yè)有限公
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EVG®850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征:開放式膠粘劑平臺(tái);各種載體(硅,玻璃,藍(lán)寶石等);適用于不同基板尺寸的橋接工具功能;提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合;程序控制系統(tǒng);實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù);完全集成的SECS/GEM接口;可選的集成在線計(jì)量模塊,用于自動(dòng)反饋回路;技術(shù)數(shù)據(jù):晶圓直徑(基板尺寸):蕞長(zhǎng)300毫米,可能有超大的托架不同的基材/載體組合組態(tài)外套模塊帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊通過光學(xué)或機(jī)械對(duì)準(zhǔn)來對(duì)準(zhǔn)模塊鍵合模塊:選件在線計(jì)量ID閱讀高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理EVG500系列鍵合機(jī)擁有多種鍵合方法,包括陽(yáng)極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹脂,UV和熔融鍵合。新疆鍵合機(jī)值得買
共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。上海鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢?
鍵合機(jī)特征 高真空,對(duì)準(zhǔn),共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個(gè),蕞/大6個(gè) 加載:手動(dòng),卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond®基活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 高達(dá)200毫米
半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃,以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件,這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路,例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)ZUI高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購(gòu)置成本。
陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法,廣FAN用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓??梢允褂藐?yáng)極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na2O)。EVG鍵合可選功能:陽(yáng)極,UV固化,650℃加熱器。廣東EVG520鍵合機(jī)
自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560,擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站。新疆鍵合機(jī)值得買
EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。新疆鍵合機(jī)值得買
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的****,公司位于金高路2216弄35號(hào)6幢306-308室,成立于2002-02-07。公司秉承著技術(shù)研發(fā)、客戶優(yōu)先的原則,為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量?jī)x的產(chǎn)品發(fā)展添磚加瓦。主要經(jīng)營(yíng)半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量?jī)x等產(chǎn)品服務(wù),現(xiàn)在公司擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),對(duì)于產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)要求極為嚴(yán)格,完全按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)和生產(chǎn)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司每年將部分收入投入到半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量?jī)x產(chǎn)品開發(fā)工作中,也為公司的技術(shù)創(chuàng)新和人材培養(yǎng)起到了很好的推動(dòng)作用。公司在長(zhǎng)期的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中形成了一套完善的科技激勵(lì)政策,以激勵(lì)在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品改進(jìn)等。半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量?jī)x產(chǎn)品滿足客戶多方面的使用要求,讓客戶買的放心,用的稱心,產(chǎn)品定位以經(jīng)濟(jì)實(shí)用為重心,公司真誠(chéng)期待與您合作,相信有了您的支持我們會(huì)以昂揚(yáng)的姿態(tài)不斷前進(jìn)、進(jìn)步。