薄膜測厚儀膜厚儀科研應(yīng)用

不管您參與對顯示器的基礎(chǔ)研究還是制造，Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機(jī)發(fā)光二極管層-發(fā)光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品，我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于測量薄膜厚度已經(jīng)找到了顯示器應(yīng)用廣范使用。測量范例此案例中，我們成功地測量了藍(lán)寶石和硼硅玻璃基底上銦錫氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380納米到1700納米內(nèi)同時(shí)測量透射率和反射率以確定厚度，折射率，消光系數(shù)。由于ITO薄膜在各種基底上不同尋常的的擴(kuò)散，這個(gè)擴(kuò)展的波長范圍是必要的。產(chǎn)品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。薄膜測厚儀膜厚儀科研應(yīng)用

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應(yīng)用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應(yīng)用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點(diǎn)厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。Thetametrisis膜厚儀有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當(dāng)測量斑點(diǎn)只有1微米（μm）時(shí)，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個(gè)系統(tǒng)。光刻膠膜厚儀競爭力怎么樣膜厚儀廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、光學(xué)、電子、化工等領(lǐng)域，用于質(zhì)量控制、研發(fā)和生產(chǎn)過程中的膜厚測量。

Filmetrics的技術(shù)Filmetrics提供了范圍廣范的測量生物醫(yī)療涂層的方案：支架：支架上很小的涂層區(qū)域通常需要顯微鏡類的儀器。我們的F40在幾十個(gè)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)得到使用，測量鈍化和/或藥物輸送涂層。我們有獨(dú)特的測量系統(tǒng)對整個(gè)支架表面的自動厚度測繪，只需在測量時(shí)旋轉(zhuǎn)支架。植入件：在測量植入器件的涂層時(shí)，不規(guī)則的表面形狀通常是為一挑戰(zhàn)。Filmetrics提供這一用途的全系列探頭。導(dǎo)絲和導(dǎo)引針：和支架一樣，這些器械常?？梢杂孟馞40這樣的顯微鏡儀器。導(dǎo)液管和血管成型球囊的厚度:大于100微米的厚度和可見光譜不透明性決定了F20-NIR是這一用途方面全世界眾多實(shí)驗(yàn)室內(nèi)很受歡迎的儀器。

    銦錫氧化物與透明導(dǎo)電氧化物液晶顯示器，有機(jī)發(fā)光二極管變異體，以及絕大多數(shù)平面顯示器技術(shù)都依靠透明導(dǎo)電氧化物(TCO)來傳輸電流，并作每個(gè)發(fā)光元素的陽極。和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質(zhì)的厚度至關(guān)重要。對于液晶顯示器而言，就需要有測量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對有機(jī)發(fā)光二極管而言，則需要測量發(fā)光、電注入和封裝層的厚度。在測量任何多個(gè)層次的時(shí)候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學(xué)技術(shù)需要測量或建模估算每一個(gè)層次的厚度和光學(xué)常數(shù)(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導(dǎo)電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測量和建模，從而使測量在它們之上的任何物質(zhì)變得困難。Filmetrics的氧化銦錫解決方案Filmetrics已經(jīng)開發(fā)出簡便易行而經(jīng)濟(jì)有效的方法，利用光譜反射率精確測量氧化銦錫。將新型的氧化銦錫模式和F20-EXR,很寬的400-1700nm波長相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關(guān)鍵就解決了。 F50-XT測厚范圍：0.2μm-450μm；波長：1440-1690nm。

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度F10-AR在用戶定義的任何波長范圍內(nèi)都能進(jìn)行蕞低、蕞高和平均反射測試。Filmetrics F50膜厚儀值得買

Filmetrics 提供一系列的和測繪系統(tǒng)來測量 3nm 到 1mm 的單層、 多層、 以及單獨(dú)的光刻膠薄膜。薄膜測厚儀膜厚儀科研應(yīng)用

FSM413紅外干涉測量設(shè)備關(guān)鍵詞：厚度測量，光學(xué)測厚，非接觸式厚度測量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測厚，近紅外光測厚，TSV,CD,Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測量，石英厚度，聚合物厚度,背磨厚度，上下兩個(gè)測試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。如果您對該產(chǎn)品感興趣的話，可以給我留言！產(chǎn)品名稱：紅外干涉厚度測量設(shè)備·產(chǎn)品型號：FSM413EC,FSM413MOT，F(xiàn)SM413SADP，F(xiàn)SM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器。薄膜測厚儀膜厚儀科研應(yīng)用