官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)微流控應(yīng)用

掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)：EVG的發(fā)明，例如1985年世界上較早的擁有底面對準(zhǔn)功能的系統(tǒng)，開創(chuàng)了頂面和雙面光刻，對準(zhǔn)晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例，并設(shè)定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG通過不斷開發(fā)掩模對準(zhǔn)器產(chǎn)品來增強(qiáng)這些核欣光刻技術(shù)，從而在這些領(lǐng)域做出了貢獻(xiàn)。EVG的掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)可容納尺寸蕞大，尺寸和形狀以及厚度蕞大為300mm的晶片和基板，旨在為高級應(yīng)用提供先進(jìn)的自動化程度和研發(fā)靈活性的復(fù)雜解決方案。EVG的掩模對準(zhǔn)器和工藝能力已經(jīng)過現(xiàn)場驗證，并已安裝在全球的生產(chǎn)設(shè)施中，以支持眾多應(yīng)用，包括高級封裝，化合物半導(dǎo)體，功率器件，LED，傳感器和MEMS制造。光刻機(jī)是一種用于制造集成電路和其他微納米器件的關(guān)鍵設(shè)備。官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)微流控應(yīng)用

EVG®610掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)■晶圓規(guī)格：100mm/150mm/200mm■頂/底部對準(zhǔn)精度達(dá)到±0.5μm/±1.0μm■用于雙面對準(zhǔn)高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡■軟件，硬件，真空和接近式曝光■自動楔形補(bǔ)償■鍵合對準(zhǔn)和NIL可選■支持蕞新的UV-LED技術(shù)EVG®620NT/EVG®6200NT掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)（自動化和半自動化）■晶圓產(chǎn)品規(guī)格：150mm/200mm■接近式楔形錯誤補(bǔ)償■多種規(guī)格晶圓轉(zhuǎn)換時間少于5分鐘■初次印刷高達(dá)180wph/自動對準(zhǔn)模式為140wph■可選獨力的抗震型花崗巖平臺■動態(tài)對準(zhǔn)實時補(bǔ)償偏移■支持蕞新的UV-LED技術(shù)海南光刻機(jī)競爭力怎么樣光刻機(jī)在集成電路制造中有重要的作用，能實現(xiàn)高分辨率、高精度圖案轉(zhuǎn)移，是微納米器件制造關(guān)鍵工藝設(shè)備。

EVG®150--光刻膠自動處理系統(tǒng)

EVG®150是全自動化光刻膠處理系統(tǒng)中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達(dá)300毫米。EVG150設(shè)計為完全模塊化的平臺，可實現(xiàn)自動噴涂/旋轉(zhuǎn)/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復(fù)性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術(shù)進(jìn)行均勻涂覆，而傳統(tǒng)的旋涂技術(shù)則受到限制。EVG®150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)六個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)二十個烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載

EVG的光刻機(jī)技術(shù)：EVG在光刻技術(shù)上的關(guān)鍵能力在于其掩模對準(zhǔn)器的高產(chǎn)能，接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統(tǒng)的內(nèi)部處理的相關(guān)知識。EVG的所有光刻設(shè)備平臺均支持300毫米的晶圓，可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并配有用于從上到下的側(cè)面對準(zhǔn)驗證的度量工具。EVG不斷展望未來的市場趨勢，因此提供了針對特定應(yīng)用的解決方案，尤其是在光學(xué)3D傳感和光子學(xué)市場中，其無人能比的EVG的工藝和材料專業(yè)知識-源自對各種光刻膠材料進(jìn)行的廣范優(yōu)化研究。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素。在全球范圍內(nèi)，我們?yōu)樵S多用戶提供了量產(chǎn)型的光刻機(jī)系統(tǒng)，并得到了用戶的無數(shù)好評。

IQAligner®自動化掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)特色：EVG®IQ定位儀®平臺用于自動非接觸近距離處理而優(yōu)化的用于晶片尺寸高達(dá)200毫米。技術(shù)數(shù)據(jù)：IQAligner是具有高度自動化程度的非接觸式接近光刻平臺，可滿足將生產(chǎn)線中的掩模污染降至蕞低并增加掩模壽命和產(chǎn)品良率的需求。除了多種對準(zhǔn)功能外，該系統(tǒng)還通過專門配置進(jìn)行了廣范的安裝和現(xiàn)場驗證，可自動處理和處理翹曲或變薄的晶圓。標(biāo)準(zhǔn)的頂側(cè)或底側(cè)對準(zhǔn)與集成的IR對準(zhǔn)功能之間的混合匹配操作進(jìn)一步拓寬了應(yīng)用領(lǐng)域，尤其是在與工程或粘合基板對準(zhǔn)時。該系統(tǒng)還通過快速響應(yīng)的溫度控制工具集支持晶片對準(zhǔn)跳動控制。EVG的CoverSpin TM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗，并提高光刻膠涂層的均勻性。HERCULES光刻機(jī)美元價格

EVG在要求苛刻的應(yīng)用中積累了多年光刻膠旋涂和噴涂的經(jīng)驗。官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)微流控應(yīng)用

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8頂側(cè)和底側(cè)對準(zhǔn)能力高精度對準(zhǔn)臺自動楔形補(bǔ)償序列電動和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術(shù)蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠(yuǎn)程技術(shù)支持多用戶的概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機(jī)版EVG®610附加功能：鍵對準(zhǔn)紅外對準(zhǔn)納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對準(zhǔn)方式上側(cè)對準(zhǔn)：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對準(zhǔn)：≤±2,0μm官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)微流控應(yīng)用