山西圖像傳感器鍵合機(jī)

EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補(bǔ)償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。山西圖像傳感器鍵合機(jī)

EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設(shè)備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進(jìn)行優(yōu)化?？蛇x的在線計量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。EVG805鍵合機(jī)優(yōu)惠價格旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征：多達(dá)八個預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準(zhǔn)驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機(jī)。EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷的參數(shù)：材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）自動化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染。可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）EVG鍵合機(jī)選擇上海岱美儀器。海南鍵合機(jī)可以試用嗎

EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時結(jié)合了自動光學(xué)對準(zhǔn)和鍵合操作功能。山西圖像傳感器鍵合機(jī)

EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。山西圖像傳感器鍵合機(jī)