新疆鍵合機微流控應(yīng)用

鍵合對準(zhǔn)機系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝在對準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG的各種鍵合對準(zhǔn)（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。新疆鍵合機微流控應(yīng)用

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復(fù)雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。EVG820鍵合機供應(yīng)商家晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機器。

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉：自動化腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）可選功能：卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設(shè)備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進行優(yōu)化?？蛇x的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。EVG的服務(wù)：高真空對準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍寶石刷的參數(shù)：材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）自動化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320，使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作，達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染?？蛇x功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的zhuyao市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500套。EVG810 LT鍵合機聯(lián)系電話

EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。新疆鍵合機微流控應(yīng)用

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩ж撾姷难鯕鈦碜圆ＡУ碾x子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。新疆鍵合機微流控應(yīng)用