甘肅鍵合機(jī)供應(yīng)商家

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。EVG鍵合機(jī)可使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤(pán)來(lái)處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。甘肅鍵合機(jī)供應(yīng)商家

一旦將晶片粘合在一起，就必須測(cè)試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過(guò)程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測(cè)試方法使用。破壞性測(cè)試方法用于測(cè)試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評(píng)估粘合過(guò)程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒(méi)有缺陷。EVGroup（EVG）是制造半導(dǎo)體，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），化合物半導(dǎo)體，功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的lingxian供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合，薄晶圓加工，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計(jì)量設(shè)備，以及光刻膠涂布機(jī)，清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EVGroup服務(wù)于復(fù)雜的全球客戶(hù)和合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，并為其提供支持。有關(guān)EVG的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)"鍵合機(jī)"。甘肅鍵合機(jī)供應(yīng)商家EMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專(zhuān)注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過(guò)等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數(shù)量或過(guò)程模塊8通量每小時(shí)ZUI多40個(gè)晶圓處理系統(tǒng)4個(gè)裝載口特征：多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過(guò)EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ

從表面上看，“引線(xiàn)鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ)，但由于涉及更多的變量，因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線(xiàn)鍵合過(guò)程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤(pán)，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí)，然后再?lài)L試進(jìn)行引線(xiàn)鍵合。EVG的 GEMINI系列，在ZUI小占地面積上，一樣利用EVG ZUI高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿(mǎn)足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽(yáng)極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹(shù)脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的duli溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。安徽鍵合機(jī)售后服務(wù)

EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過(guò)遠(yuǎn)程通信的。甘肅鍵合機(jī)供應(yīng)商家

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速?lài)娮祛l率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷子材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）甘肅鍵合機(jī)供應(yīng)商家