碳化硅鍵合機(jī)原理

來源: 發(fā)布時間:2024-02-02

什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢?EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供ZUI佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設(shè)計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。碳化硅鍵合機(jī)原理

碳化硅鍵合機(jī)原理,鍵合機(jī)

從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度,通常jin應(yīng)用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng),很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。河南RF濾波器鍵合機(jī)EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過遠(yuǎn)程通信的。

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封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。

鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊,以執(zhí)行隨后的鍵合過程??梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。

EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 

晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選:陽極,UV固化,650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) 

EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下: ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond® -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對準(zhǔn)鍵合 ■臨時鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合 EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)EVG晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢?掩模對準(zhǔn)鍵合機(jī)售后服務(wù)

晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機(jī)。碳化硅鍵合機(jī)原理

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。碳化硅鍵合機(jī)原理