湖北中科院鍵合機(jī)

鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個(gè)雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過(guò)分離對(duì)準(zhǔn)和鍵合工藝在對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹(shù)立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。包含以下的型號(hào)：EVG610BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，是專門(mén)為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的。湖北中科院鍵合機(jī)

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)閣命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。湖北中科院鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)選擇上海岱美儀器。

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。

EVG&reg;501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合；開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbar自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560，擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站。

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中，這是因?yàn)槠涑杀拘矢咔乙子趹?yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中，每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個(gè)鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對(duì)成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過(guò)程需要一個(gè)類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時(shí)將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。?dāng)銅用于球焊時(shí)，氮?dú)庖詺鈶B(tài)形式使用，以防止在引線鍵合過(guò)程中形成氧化銅。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。三維芯片鍵合機(jī)有哪些品牌

EVG鍵合可選功能：陽(yáng)極，UV固化，650℃加熱器。湖北中科院鍵合機(jī)

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。湖北中科院鍵合機(jī)