進口鍵合機國內(nèi)代理

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工，同時，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn)，因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，可以簡化用戶常規(guī)操作。進口鍵合機國內(nèi)代理

SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng)，用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng)，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。SOI鍵合機供應商家晶圓級涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術支持

表面帶有微結(jié)構硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點。EVG鍵合機選擇上海岱美儀器。

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞檬歉呒?D設備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。 在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。原裝進口鍵合機推薦產(chǎn)品

EVG下的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。進口鍵合機國內(nèi)代理

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術［1］。實現(xiàn)封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結(jié)構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。進口鍵合機國內(nèi)代理