福建當(dāng)?shù)貎r格鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2024-02-18

EVG&reg;501鍵合機(jī)特征:獨特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器;靈活的研究設(shè)計和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級用于陽極鍵合;開室設(shè)計,易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;開室設(shè)計,易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴可選:1E-5mbarEVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。福建當(dāng)?shù)貎r格鍵合機(jī)

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什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢?EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供ZUI佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設(shè)計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。河南美元價鍵合機(jī)自動鍵合系統(tǒng)EVG?540,擁有300 mm單腔鍵合室和多達(dá)4個自動處理鍵合卡盤。

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EVG®850鍵合機(jī) EVG®850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口 對準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合力:ZUI高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):ZUI高3000rpm(5s)

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。

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封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。遼寧EVG805鍵合機(jī)

我們的服務(wù)包括通過安全的連接,電話或電子郵件,對包括現(xiàn)場驗證,進(jìn)行實時遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。福建當(dāng)?shù)貎r格鍵合機(jī)

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中,這是因為其成本效率高且易于應(yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中,每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。?dāng)銅用于球焊時,氮氣以氣態(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。福建當(dāng)?shù)貎r格鍵合機(jī)