低溫鍵合機(jī)值得買(mǎi)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-22

用晶圓級(jí)封裝制造的組件被guangfan用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場(chǎng)對(duì)更小,更輕的電子設(shè)備的需求,這些電子設(shè)備可以以越來(lái)越復(fù)雜的方式使用。例如,除了簡(jiǎn)單的通話(huà)外,許多手機(jī)還具有多種功能,例如拍照或錄制視頻。晶圓級(jí)封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如,它們用于汽車(chē)輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng),可植入醫(yī)療設(shè)備,軍SHI數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更guangfan的高級(jí)產(chǎn)品中。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。 鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,晶圓級(jí)封裝,工程襯底智造,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。低溫鍵合機(jī)值得買(mǎi)

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目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問(wèn)題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),金層發(fā)生流動(dòng)、互融,從而形成鍵合。該過(guò)程對(duì)金的純度要求較高,即當(dāng)金層發(fā)生氧化時(shí)就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。紅外鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)EVG鍵合機(jī)選擇上海岱美儀器。

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EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng))還可用于研發(fā),中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空,精確控制的準(zhǔn)確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿(mǎn)足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽(yáng)極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹(shù)脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)(對(duì)位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接(實(shí)時(shí))或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

EVG®850鍵合機(jī)EVG®850鍵合機(jī)特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型:平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±°結(jié)合力:ZUI高5N鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件)清潔站清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速?lài)娮?,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選)腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%濃度(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤(pán):真空卡盤(pán)(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(pán)(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):ZUI高3000rpm。 EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類(lèi)型有:陽(yáng)極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多類(lèi)型。

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業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為:黏合劑,陽(yáng)極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,同時(shí),GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。 EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語(yǔ)言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶(hù)帳戶(hù)設(shè)置,可以簡(jiǎn)化用戶(hù)常規(guī)操作。紅外鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)

晶圓級(jí)涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。低溫鍵合機(jī)值得買(mǎi)

EVG®510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置,用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開(kāi)室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過(guò)自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開(kāi)室設(shè)計(jì),可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴 可選:1E-5mbar 低溫鍵合機(jī)值得買(mǎi)