西藏絕緣體上的硅鍵合機(jī)

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語言，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置，這樣可以簡(jiǎn)化用戶常規(guī)操作。西藏絕緣體上的硅鍵合機(jī)

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。 EVG850 DB鍵合機(jī)免稅價(jià)格鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級(jí)3D集成，晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

EVG®850鍵合機(jī)EVG®850鍵合機(jī)特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）清潔站清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm。 

根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。 EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。

EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：? 4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。四川EVG820鍵合機(jī)

EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多種類型。西藏絕緣體上的硅鍵合機(jī)

EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)用途：自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。特征多達(dá)四個(gè)清潔站全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選）使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 西藏絕緣體上的硅鍵合機(jī)