分銷膜厚儀技術(shù)支持

參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-BK71?"x1?"BK7反射基準。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經(jīng)處理的石英，用于雙界面基準。REF-Si-22"單晶硅晶圓REF-Si-44"單晶硅晶圓REF-Si-66"單晶硅晶圓REF-Si-88"單晶硅晶圓REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設(shè)計之鋁反射率基準片REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設(shè)計之BK7玻璃反射率基準片REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設(shè)計之硅反射率基準片紅外干涉測量技術(shù)，非接觸式測量。分銷膜厚儀技術(shù)支持

生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有獨力的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。測量范例：支架是塑料或金屬制成的插入血管防止收縮的小管。很多時候，這些支架用聚合物或藥物涂層處理，以提高功能和耐腐蝕。F40配上20倍物鏡（25微米光斑），我們能夠測量沿不銹鋼支架外徑這些涂層的厚度。這個功能強大的儀器提供醫(yī)療器械行業(yè)快速可靠，非破壞性，無需樣品準備厚度的測量。Filmetrics F20膜厚儀代理價格不同的 F50 儀器是根據(jù)波長范圍來加以區(qū)分的。

測量眼科設(shè)備涂層厚度光譜反射率可用于測量眼鏡片減反射(AR)光譜和殘余顏色，以及硬涂層和疏水層的厚度。測量范例：F10-AR系統(tǒng)配備HC升級選擇通過反射率信息進行硬涂層厚度測量。這款儀器儀器采用接觸探頭，從而降低背面反射影響，并可測凹凸表面。接觸探頭安置在鏡頭表面。FILMeasure軟件自動分析采集的光譜信息以確定鏡頭是否滿足指定的反射規(guī)格。可測平均反射率，指定點蕞小蕞大反射率，以抵消硬涂層的存在。如果這個鏡頭符合要求，系統(tǒng)操作人員將得到清晰的“很好”指示。

不管是參與對顯示器的基礎(chǔ)研究還是制造，Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機發(fā)光二極管層-發(fā)光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品，我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于測量薄膜厚度已經(jīng)找到了顯示器應(yīng)用廣范使用。測量范例此案例中，我們成功地測量了藍寶石和硼硅玻璃基底上銦錫氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380納米到1700納米內(nèi)同時測量透射率和反射率以確定厚度，折射率，消光系數(shù)。由于ITO薄膜在各種基底上不同尋常的的擴散，這個擴展的波長范圍是必要的。幾乎任何形狀的樣品厚度和折射率的自動測繪。人工加載或機器人加載均可。

光纖紫外線、可見光譜和近紅外備用光纖。接觸探頭是相當堅固的，但是光纖不能經(jīng)常被抽屜碰撞或者被椅子壓過。該套件包括指令，以及簡單的維修工具，新的和舊風(fēng)格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長，直徑200um的光纖，兩端配備SMA接頭。米長，分叉反射探頭。通用附件攜帶箱等。手提電腦手提電腦預(yù)裝FILMeasure軟件、XP和Microsoft辦公軟件。電腦提箱用于攜帶F10、F20、F30和F40系統(tǒng)的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、雙出入孔SMA并通過泄漏測試。LensPaper-CenterHole中間開孔鏡頭紙，用于保護面朝下的樣品，5本各100張。系統(tǒng)測試應(yīng)力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自動的200mm和300mm硅片檢查，自動檢驗和聚焦的能力。官方授權(quán)經(jīng)銷商膜厚儀學(xué)校會用嗎

F3-s980 是波長為980奈米的版本，是為了針對成本敏銳的應(yīng)用而設(shè)計。分銷膜厚儀技術(shù)支持

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度分銷膜厚儀技術(shù)支持