福建鍵合機供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時間:2024-10-02

EVG®510晶圓鍵合機系統(tǒng):用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。特色:EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)、研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計相同,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。福建鍵合機供應(yīng)商

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BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù),與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比,BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。EVG850 DB鍵合機可以免稅嗎EVG鍵合機的特征有:壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

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EVG&reg;501鍵合機特征:獨特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機械和光學(xué)對準器;靈活的研究設(shè)計和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級用于陽極鍵合;開室設(shè)計,易于轉(zhuǎn)換和維護;兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;開室設(shè)計,易于轉(zhuǎn)換和維護;200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:0.1毫巴可選:1E-5mbar 

ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ撸@是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準精度,此對準精度上的改進為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?!?nbsp;EVG的服務(wù):高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

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EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準。EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴展了現(xiàn)有標準,并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準和涂敷精度。芯片鍵合機干涉測量應(yīng)用

EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結(jié)合了自動光學(xué)對準和鍵合操作功能。福建鍵合機供應(yīng)商

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻等問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。福建鍵合機供應(yīng)商