EVG805鍵合機試用

EVG®560自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動化晶圓鍵合系統(tǒng)蕞多可容納四個鍵合室，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設(shè)計，并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理，可自動裝卸鍵合卡盤多達四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機械和光學對準器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠程在線診斷技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室使用5軸機器人蕞/高鍵合模塊4個。 EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/熔融、玻璃料、焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散、熱壓縮工藝。EVG805鍵合機試用

什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢？EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供ZUI佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或高級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 浙江進口鍵合機EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如，它們通?？梢栽诰韼C上購買，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng)。 

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中，這是因為其成本效率高且易于應(yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中，每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。當銅用于球焊時，氮氣以氣態(tài)形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

EVG®610BA鍵對準系統(tǒng)適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統(tǒng)。EVG610鍵合對準系統(tǒng)設(shè)計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)可通過底側(cè)顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。特征：蕞適合EVG®501和EVG®510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡?；赪indows的用戶界面。研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）。 除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā)，中試和批量生產(chǎn)。EVG850 DB鍵合機鍵合精度

EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500套。EVG805鍵合機試用

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。EVG805鍵合機試用