天津MEMS光刻機(jī)

HERCULES®■全自動(dòng)光刻根蹤系統(tǒng)，模塊化設(shè)計(jì)，用于掩模和曝光，集成了預(yù)處理和后處理能力■高產(chǎn)量的晶圓加工■蕞多8個(gè)濕法處理模塊以及多達(dá)24個(gè)額外烘烤，冷卻和蒸汽填料板■基于EVG的IQAligner®或者EVG®6200NT技術(shù)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)和曝光■獨(dú)力的柜內(nèi)化學(xué)處理■支持連續(xù)操作模式(CMO)EVG光刻機(jī)可選項(xiàng)有：手動(dòng)和自動(dòng)處理我們所有的自動(dòng)化系統(tǒng)還支持手動(dòng)基片和掩模加載功能，以便進(jìn)行過程評(píng)估。此外，該系統(tǒng)可以配置成處理彎曲，翹曲，變薄或非SEMI標(biāo)準(zhǔn)形狀的晶片和基片。各種晶圓卡盤設(shè)計(jì)毫無任何妥協(xié)，帶來蕞大的工藝靈活性和基片處理能力。我們的掩模對(duì)準(zhǔn)器配有機(jī)械或非接觸式光學(xué)預(yù)對(duì)準(zhǔn)器，以確保蕞佳的工藝能力和產(chǎn)量。Load＆Go選項(xiàng)可在自動(dòng)化系統(tǒng)上提供超快的流程啟動(dòng)。EVG光刻機(jī)設(shè)備，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。天津MEMS光刻機(jī)

EVG®150光刻膠處理系統(tǒng)分配選項(xiàng)：各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達(dá)52000cP的粘度液體底漆/預(yù)濕/洗盤去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)電阻分配泵具有流量監(jiān)控功能可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸超音波附加模塊選項(xiàng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)/機(jī)械ID讀取器：條形碼，字母數(shù)字，數(shù)據(jù)矩陣系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個(gè)作業(yè)/實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR晶圓光刻機(jī)原理EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，可以在頂部和雙面光刻。

EVG620NT技術(shù)數(shù)據(jù)：曝光源：汞光源/紫外線LED光源先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能：手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法EVG620NT產(chǎn)量:全自動(dòng)：弟一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)150毫米對(duì)準(zhǔn)方式：上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5μm底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基材鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0μm曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL®

EVG®101--先進(jìn)的光刻膠處理系統(tǒng)主要應(yīng)用：研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)中的單晶圓光刻膠加工EVG101光刻膠處理系統(tǒng)在單腔設(shè)計(jì)中執(zhí)行研發(fā)類型的工藝，與EVG的自動(dòng)化系統(tǒng)完全兼容。EVG101光刻膠處理機(jī)支持蕞大300mm的晶圓，并可配置用于旋涂或噴涂以及顯影應(yīng)用。通過EVG先進(jìn)的OmniSpray涂層技術(shù)，在互連技術(shù)的3D結(jié)構(gòu)晶圓上獲得了光致光刻膠或聚合物的保形層。這確保了珍貴的高粘度光刻膠或聚合物的材料消耗降低，同時(shí)提高了均勻性和光刻膠鋪展選擇。這大達(dá)地節(jié)省了用戶的成本。EVG已經(jīng)與研究機(jī)構(gòu)合作超過35年，能深入了解他們的獨(dú)特需求。

EVG®150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)6個(gè)過程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)20個(gè)烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個(gè)FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載可用的模塊包括旋轉(zhuǎn)涂層，噴涂，NanoCoat?，顯影，烘烤/冷卻/蒸氣/上等EV集團(tuán)專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了****的處理結(jié)果，當(dāng)涉及到極端地形的保形涂層可選的NanoSpray?模塊實(shí)現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層，長(zhǎng)寬比*高為1:10，垂直側(cè)壁廣范的支持材料烘烤模塊溫度高達(dá)250°CMegasonic技術(shù)用于清潔，聲波化學(xué)處理和顯影，可提高處理效率并將處理時(shí)間從數(shù)小時(shí)縮短至數(shù)分鐘。如果需要光刻機(jī)（掩膜曝光機(jī)），請(qǐng)聯(lián)系我們。天津MEMS光刻機(jī)

EVG的掩模對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)是適用于高達(dá)300mm的不同的厚度，尺寸，形狀的晶圓和基片。天津MEMS光刻機(jī)

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8頂側(cè)和底側(cè)對(duì)準(zhǔn)能力高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列電動(dòng)和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術(shù)蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠(yuǎn)程技術(shù)支持多用戶的概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版EVG®610附加功能：鍵對(duì)準(zhǔn)紅外對(duì)準(zhǔn)納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對(duì)準(zhǔn)方式上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0μm天津MEMS光刻機(jī)