EVG850 LT鍵合機優(yōu)惠價格

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應力和無空隙地層壓到載體晶片上在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG®850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護膜剝離 光學對準 加熱層壓在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。EVG850 LT鍵合機優(yōu)惠價格

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG850 LT鍵合機優(yōu)惠價格EVG鍵合機提供的加工服務。

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計，占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG®610BA鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置桌面系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準：2個卡帶站 可選：蕞多5個站

根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn)，因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。 EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)ZUI高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于對準晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實現(xiàn)ZUI高水平的自動化和過程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對晶圓對準和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圓鍵合工藝都在一個全自動平臺上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加，高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇，例如陽極，硅熔合，熱壓和共晶鍵合。特征全自動集成平臺，用于晶圓對晶圓對準和晶圓鍵合底部，IR或Smaiew對準的配置選項多個鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開帶交換模塊的模塊化設(shè)計結(jié)合了EVG的精密對準EVG所有優(yōu)點和®500個系列系統(tǒng)與duli系統(tǒng)相比，占用空間ZUI小可選的過程模塊：LowTemp?等離子活化晶圓清洗涂敷模塊紫外線鍵合模塊烘烤/冷卻模塊對準驗證模塊技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室5軸機器人ZUI高鍵合模塊4個ZUI高預處理模塊200毫米：4個300毫米：6個。EVG晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？3D IC鍵合機研發(fā)可以用嗎

EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。EVG850 LT鍵合機優(yōu)惠價格

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征：多達八個預處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ EVG850 LT鍵合機優(yōu)惠價格