BONDSCALE鍵合機優(yōu)惠價格

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征：多達八個預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。BONDSCALE鍵合機優(yōu)惠價格

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。 BONDSCALE鍵合機優(yōu)惠價格在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。 

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程?？梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機特征■基底高達200mm■壓力高達100kN■溫度高達550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器EVG鍵合機加工服務(wù)EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下：■等離子活化直接鍵合■ComBond®-硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合■高真空對準鍵合■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/熔融、玻璃料、焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散、熱壓縮工藝。山東RF濾波器鍵合機

除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā)，中試和批量生產(chǎn)。BONDSCALE鍵合機優(yōu)惠價格

EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp? 等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）BONDSCALE鍵合機優(yōu)惠價格