EV Group鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。EV Group鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣

GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ZUI高水平的自動(dòng)化和過(guò)程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圓鍵合工藝都在一個(gè)全自動(dòng)平臺(tái)上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加，高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇，例如陽(yáng)極，硅熔合，熱壓和共晶鍵合。特征全自動(dòng)集成平臺(tái)，用于晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和晶圓鍵合底部，IR或Smaiew對(duì)準(zhǔn)的配置選項(xiàng)多個(gè)鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開(kāi)帶交換模塊的模塊化設(shè)計(jì)結(jié)合了EVG的精密對(duì)準(zhǔn)EVG所有優(yōu)點(diǎn)和®500個(gè)系列系統(tǒng)與duli系統(tǒng)相比，占用空間ZUI小可選的過(guò)程模塊：LowTemp?等離子活化晶圓清洗涂敷模塊紫外線鍵合模塊烘烤/冷卻模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室5軸機(jī)器人ZUI高鍵合模塊4個(gè)ZUI高預(yù)處理模塊200毫米：4個(gè)300毫米：6個(gè)。GEMINI鍵合機(jī)可以試用嗎晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

EVG®850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過(guò)處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過(guò)薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來(lái)支撐設(shè)備晶圓。特征在有形和無(wú)形的情況下，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動(dòng)清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù)自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）高達(dá)300毫米高達(dá)12英寸的薄膜面積組態(tài)解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機(jī)選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 

EVG®850鍵合機(jī)EVG®850鍵合機(jī)特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）清潔站清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm。 EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。

陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓。可以使用陽(yáng)極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）。 EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽(yáng)極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多種類型。山東EVG620鍵合機(jī)

EVG的服務(wù)：高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。EV Group鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣

EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：?jiǎn)吻换螂p腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作ZUI大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，具有EVGroup專有的對(duì)稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如獨(dú)LI的頂側(cè)和底側(cè)加熱器，高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì)，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。特征：全自動(dòng)處理，手動(dòng)裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量選項(xiàng)：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質(zhì)量流量控制器集成冷卻技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：1E-5mbar可選：1E-6mbar EV Group鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣