絕緣體上的硅鍵合機高性價比選擇

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動系統(tǒng)，用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上，以在工具之間安全可靠地運輸。特征：開放式膠粘劑平臺解鍵合選項：熱滑解鍵合解鍵合機械解鍵合程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨特功能多種卡盤設(shè)計，可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）晶片ZUI大300mm高達12英寸的薄膜組態(tài)1個解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力 EMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。絕緣體上的硅鍵合機高性價比選擇

GEMINI ® FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。北京GEMINI鍵合機旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程?？梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。EVG&reg;501/EVG&reg;510/EVG&reg;520IS是用于研發(fā)的鍵合機。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機特征■基底高達200mm■壓力高達100kN■溫度高達550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器EVG鍵合機加工服務(wù)EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下：■等離子活化直接鍵合■ComBond&reg;-硅和化合物半導體的導電鍵合■高真空對準鍵合■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信。

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮工藝。新疆美元價格鍵合機

EVG鍵合機通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。絕緣體上的硅鍵合機高性價比選擇

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。絕緣體上的硅鍵合機高性價比選擇