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共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此,中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅中擴散[10,11]。 晶圓級涂層、封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。實際價格鍵合機值得買
鍵合對準機系統(tǒng) 1985年,隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明,EVG革新了MEMS技術,并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標準。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞高的精度,靈活性和易用性以及模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程。包含以下的型號:EVG610BA鍵合對準系統(tǒng);EVG620BA鍵合對準系統(tǒng);EVG6200BA鍵合對準系統(tǒng);SmartViewNT鍵合對準系統(tǒng);甘肅EVG805鍵合機EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。
EVGroup開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術,通過消除與掩模相關的困難和成本,滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設備與快速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案,可同時進行裸片和晶圓級設計,支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應性,并具有多級冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求,而且還滿足MEMS,生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應,形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG鍵合機晶圓鍵合類型如下:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。
EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔單面清潔刷(選件)用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉:蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:? 4.0mm材質:聚四氟乙烯EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。甘肅EVG805鍵合機
EVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝,這對當今和未來的器件制造是至關重要。實際價格鍵合機值得買
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。實際價格鍵合機值得買