遼寧美元價(jià)格鍵合機(jī)

EVGroup開(kāi)發(fā)了MLE?（無(wú)掩模曝光）技術(shù)，通過(guò)消除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開(kāi)發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開(kāi)發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性，并具有多級(jí)冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無(wú)掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 EVG下的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。遼寧美元價(jià)格鍵合機(jī)

EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查。因此，經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

SmartView®NT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于通用對(duì)準(zhǔn)。全自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，采用微米級(jí)面對(duì)面晶圓對(duì)準(zhǔn)的專有方法進(jìn)行通用對(duì)準(zhǔn)。用于通用對(duì)準(zhǔn)的SmartViewNT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級(jí)面對(duì)面晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)的專有方法。這種對(duì)準(zhǔn)技術(shù)對(duì)于在lingxian技術(shù)的多個(gè)晶圓堆疊中達(dá)到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動(dòng)平臺(tái)上進(jìn)行長(zhǎng)久鍵合。特征：適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 

鍵合機(jī)特征高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM 可選的過(guò)程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米EVG鍵合機(jī)通過(guò)控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。 晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。本地鍵合機(jī)試用

清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。遼寧美元價(jià)格鍵合機(jī)

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。遼寧美元價(jià)格鍵合機(jī)