新疆EVG820鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-06

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。新疆EVG820鍵合機(jī)

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從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項(xiàng)目的精致性,由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度,通常*應(yīng)用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng),很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。廣西鍵合機(jī)保修期多久在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。

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該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請(qǐng)點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。

EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合,清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中,經(jīng)過處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的,彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),中試和批量生產(chǎn)。

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EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG鍵合機(jī)的特征有:壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。河北鍵合機(jī)用途是什么

EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。新疆EVG820鍵合機(jī)

臨時(shí)鍵合系統(tǒng):

臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程,這對(duì)于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號(hào):EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。 新疆EVG820鍵合機(jī)