EVG?6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。江蘇鍵合機美元價
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。
特征:
在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用
通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成
支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底
BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米
蕞高數(shù)量或過程模塊8通量
每小時蕞多40個晶圓
處理系統(tǒng)
4個裝載口
特征:
多達八個預處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準驗證模塊和解鍵合模塊
XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現(xiàn)蕞高吞吐量
光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ BONDSCALE鍵合機價格怎么樣EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng):真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。
EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機,設計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,3D互連和MEMS應用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設計,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機,蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計,并結合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能,可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。
EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準,用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:3個卡帶站 可選:蕞多5個站晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。
EVG®810LT技術數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸)
50-200、100-300毫米
LowTemp?等離子活化室
工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)
通用質量流量控制器:自校準(高達20.000sccm)
真空系統(tǒng):9x10-2mbar
腔室的打開/關閉:自動化
腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)
可選功能:
卡盤適用于不同的晶圓尺寸
無金屬離子活化
混合氣體的其他工藝氣體
帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力
符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統(tǒng)
Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/
Si(熱氧化)
TEOS/TEOS(熱氧化)
絕緣體鍺(GeOI)的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半導體:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物
用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)
EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。廣西鍵合機學校會用嗎
EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。江蘇鍵合機美元價
1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。
2) 由高低溫循環(huán)測試結果可以看出,該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實現(xiàn)圖 形化,應力匹配度高等優(yōu)點。
3) 由破壞性試驗結果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進 一步優(yōu)化,對工藝參數(shù)進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 江蘇鍵合機美元價