氮化鎵納米壓印代理價格

SmartNIL是行業(yè)領仙的NIL技術，可對小于40nm*的極小特征進行圖案化，并可以對各種結構尺寸和形狀進行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術相結合，可實現(xiàn)無人可比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢，同時保留了可擴展性和易于維護的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長期前景，即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級和納米級結構的低成本，大批量替代光刻技術。注：*分辨率取決于過程和模板如果需要詳細的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器技術服務有限公司。EVG的納米壓印設備已使納米圖案能夠在面板尺寸比較大為第三代（550 mm x 650 mm）的基板上實現(xiàn)。氮化鎵納米壓印代理價格

EVG ® 770分步重復納米壓印光刻系統(tǒng)

分步重復納米壓印光刻技術，可進行有效的母版制作

EVG770是用于步進式納米壓印光刻的通用平臺，可用于有效地進行母版制作或對基板上的復雜結構進行直接圖案化。這種方法允許從**

大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相結合，分步重復刻印通常用于有效地制造晶圓級光學器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。

EVG770的主要功能包括精確的對準功能，完整的過程控制以及可滿足各種設備和應用需求的靈活性。 碳化硅納米壓印質量怎么樣高 效，強大的SmartNIL工藝提供高圖案保真度，擁有高度均勻圖案層和**少殘留層，易于擴展的晶圓尺寸和產(chǎn)量。

據(jù)外媒報道，美國威斯康星大學麥迪遜分校（UWMadison）的研究人員們，已經(jīng)同合作伙伴聯(lián)手實現(xiàn)了一種突破性的方法。不僅大達簡化了低成本高性能、無線靈活的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的制造工藝，還克服了許多使用標準技術制造設備時所遇到的操作上的問題。該技術可用于制造大卷的柔性塑料印刷線路板，并在可穿戴電子設備和彎曲傳感器等領域派上大用場。研究人員稱，這項突破性的納米壓印平板印刷制造工藝，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶體管。由于出色的低電流需求和更好的高頻性能，MOSFET已經(jīng)迅速取代了電子電路中常見的雙極晶體管。為了滿足不斷縮小的集成電路需求，MOSFET尺寸也在不斷變小，然而這也引發(fā)了一些問題。

EVG®510HE是EVG500系列的熱壓印系統(tǒng)。

EVGroup的一系列高精度熱壓印系統(tǒng)基于該公司市場領仙的晶圓鍵合技術。出色的壓力和溫度控制以及大面積的均勻性可實現(xiàn)高精度的壓印。熱壓印是一種經(jīng)濟高效且靈活的制造技術，對于尺寸低至50nm的特征，其復制精度非常高。該系統(tǒng)非常適合將復雜的微結構和納米結構以及高縱橫比的特征壓印到各種聚合物基材或旋涂聚合物中。壓模與基板對準的組合可將熱壓紋與預處理的基板結構對準。這個系列包含的型號有：EVG®510HE，EVG®520HE。 IQ Aligner?是EVG的可用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)。

EVG ® 7200 LA特征：

專有SmartNIL ®技術，提供了****的印跡形大面積

經(jīng)過驗證的技術，具有出色的復制保真度和均勻性

多次使用的聚合物工作印模技術可延長母版使用壽命并節(jié)省大量成本

強大且精確可控的處理

與所有市售的壓印材料兼容

EVG ® 7200 LA技術數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）：直徑200毫米（比較大Gen3）（550 x 650毫米）

解析度：40 nm-10 μm（分辨率取決于模板和工藝）

支持流程：SmartNIL ®

曝光源：大功率窄帶（> 400 mW /cm2）

對準：可選的光學對準：≤±15 μm

自動分離：支持的

迷你環(huán)境和氣候控制：可選的

工作印章制作：支持的

EVG提供不同的***積壓印系統(tǒng)，大面積壓印機，微透鏡成型設備以及用于高 效母版制作的分步重復系統(tǒng)。臺積電納米壓印試用

EV Group提供混合和單片微透鏡成型工藝，能夠輕松地適應各種材料組合，以用于工作印模和微透鏡材料。氮化鎵納米壓印代理價格

EVG ® 720自動SmartNIL

® UV納米壓印光刻系統(tǒng)

自動全視野的UV納米壓印溶液達150毫米，設有EVG's專有SmartNIL ®技術

EVG720系統(tǒng)利用EVG的創(chuàng)新SmartNIL技術和材料專業(yè)知識，能夠大規(guī)模制造微米和納米級結構。具有SmartNIL技術的EVG720系統(tǒng)能夠在大面積上印刷小至40 nm *的納米結構，具有****的吞吐量，非常適合批量生產(chǎn)下一代微流控和光子器件，例如衍射光學元件（ DOEs）。

*分辨率取決于過程和模板

如果需要詳細的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器技術服務有限公司。也可以訪問官網(wǎng)，獲得更多信息。 氮化鎵納米壓印代理價格