北京研究所納米壓印

       EVG公司技術(shù)開(kāi)發(fā)和IP總監(jiān)Markus Wimplinger補(bǔ)充說(shuō)：“我們開(kāi)發(fā)新技術(shù)和工藝以應(yīng)對(duì)*復(fù)雜的挑戰(zhàn)，幫助我們的客戶成功地將其新產(chǎn)品創(chuàng)意商業(yè)化。技術(shù)，我們創(chuàng)建了我們的NILPhotonics能力中心?！霸诰哂斜Ｗo(hù)客戶IP的強(qiáng)大政策的框架內(nèi)，我們?yōu)榭蛻籼峁┝藦目尚行缘缴a(chǎn)階段的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和商業(yè)化支持。這正是我們***與AR領(lǐng)域的**者WaveOptics合作所要做的，以為*終客戶提供真正可擴(kuò)展的解決方案?！?

      EVG的NILPhotonics®能力中心框架內(nèi)的協(xié)作開(kāi)發(fā)工作旨在支持WaveOptics的承諾，即在工業(yè)，企業(yè)和消費(fèi)者等所有主要市場(chǎng)領(lǐng)域釋放AR在大眾市場(chǎng)的應(yīng)用，并遵循公司模塊計(jì)劃的推出。 高 效，強(qiáng)大的SmartNIL工藝提供高圖案保真度，擁有高度均勻圖案層和**少殘留層，易于擴(kuò)展的晶圓尺寸和產(chǎn)量。北京研究所納米壓印

    具體說(shuō)來(lái)就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷），以確?？绺鹘M件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過(guò)電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來(lái)更加“物理可控”的生產(chǎn)過(guò)程。（來(lái)自網(wǎng)絡(luò)。北京研究所納米壓印納米壓印設(shè)備哪個(gè)好？預(yù)墨印章可用于將材料以明顯的圖案轉(zhuǎn)移到基材上。

納米壓印光刻設(shè)備-處理結(jié)果：

新應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。 EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。HRI SmartNIL®壓印上的單個(gè)像素的1.AFM圖像壓印全息結(jié)構(gòu)的AFM圖像

資料來(lái)源：EVG與SwissLitho

AG合作（歐盟項(xiàng)目SNM）

2.通過(guò)熱壓花在PMMA中復(fù)制微流控芯片

資料來(lái)源：EVG

3.高縱橫比（7：1）的10 μm柱陣列

由加拿大國(guó)家研究委 員會(huì)提供

4.L / S光柵具有優(yōu)化的殘留層，厚度約為10 nm

資料來(lái)源：EVG

5.紫外線成型鏡片300 μm

資料來(lái)源：EVG

6.光子晶體用于LED的光提取

多晶硅的蜂窩織構(gòu)化（mc-Si）

由Fraunhofer ISE提供

7.金字塔形結(jié)構(gòu)50 μm

資料來(lái)源：EVG

8.**小尺寸的光模塊晶圓級(jí)封裝

資料來(lái)源：EVG

9.光子帶隙傳感器光柵

資料來(lái)源：EVG（歐盟Saphely項(xiàng)目）

10.在強(qiáng)光照射下對(duì)HRISmartNIL®烙印進(jìn)行完整的晶圓照相

資料來(lái)源：EVG

客戶示范

■工藝開(kāi)發(fā)

■材料測(cè)試

■與合作伙伴共同研發(fā)

■資助項(xiàng)目

■小批量試生產(chǎn)

■IP管理

■過(guò)程技術(shù)許可證

■流程培訓(xùn)

→世界前列的潔凈室基礎(chǔ)設(shè)施

→**的設(shè)備

→技術(shù)**

→**計(jì)量

→工藝知識(shí)

→應(yīng)用知識(shí)

→與NIL的工作印模材料和表面化學(xué)有關(guān)的化學(xué)專業(yè)知識(shí)

新應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。 EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。

岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。

HERCULES NIL 300 mm提供市場(chǎng)上**納米壓印功能，具有較低的力和保形壓印，快速高功率曝光和平滑壓模分離。

對(duì)于壓印工藝，EVG610允許基板的尺寸從小芯片尺寸到比較大直徑150 mm。納米技術(shù)應(yīng)用的配置除了可編程的高和低接觸力外，還可以包括用于印章的釋放機(jī)構(gòu)。EV Group專有的卡盤(pán)設(shè)計(jì)可提供均勻的接觸力，以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量的壓印，該卡盤(pán)支持軟性和硬性印模。

EVG610特征：

頂部和底部對(duì)準(zhǔn)能力

高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)

自動(dòng)楔形誤差補(bǔ)償機(jī)制

電動(dòng)和程序控制的曝光間隙

支持***的UV-LED技術(shù)

**小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

分步流程指導(dǎo)

遠(yuǎn)程技術(shù)支持

多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）

敏捷處理和光刻工藝之間的轉(zhuǎn)換

臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版

附加功能：

鍵對(duì)準(zhǔn)

紅外對(duì)準(zhǔn)

納米壓印光刻 

μ接觸印刷

EV Group 提供完整的UV 紫外光納米壓印光刻（UV-NIL）產(chǎn)品線。北京研究所納米壓印

EVG開(kāi)拓了這種非常規(guī)光刻技術(shù)，擁有多年技術(shù)，掌握了NIL，并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。北京研究所納米壓印

EVG ® 510 HE特征：

用于聚合物基材和旋涂聚合物的熱壓印應(yīng)用

自動(dòng)化壓花工藝

EVG專有的**對(duì)準(zhǔn)工藝，用于光學(xué)對(duì)準(zhǔn)的壓印和壓印

完全由軟件控制的流程執(zhí)行

閉環(huán)冷卻水供應(yīng)選項(xiàng)

外部浮雕和冷卻站

EVG ® 510 HE技術(shù)數(shù)據(jù)：

加熱器尺寸：150毫米 ，200毫米

比較大基板尺寸：150毫米，200毫米

**小基板尺寸：?jiǎn)涡酒?00毫米

比較大接觸力：10、20、60 kN

比較高溫度：標(biāo)準(zhǔn)：350°C；可選：550°C

夾盤(pán)系統(tǒng)/對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

150毫米加熱器：EVG ® 610，EVG ® 620，EVG ® 6200

200毫米加熱器：EVG ® 6200，MBA300，的Smart View ® NT

真空：

標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴

可選：0.00001 mbar

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