江蘇鍵合機可以免稅嗎

EVG®850TB臨時鍵合機特征：

開放式膠粘劑平臺；

各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；

提供多種裝載端口選項和組合；

程序控制系統(tǒng)；

實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)；

完全集成的SECS/GEM接口；

可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態(tài)

外套模塊

帶有多個熱板的烘烤模塊

通過光學(xué)或機械對準來對準模塊

鍵合模塊：

選件

在線計量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準。江蘇鍵合機可以免稅嗎

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點。EVG850 TB鍵合機免稅價格EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔**單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

EVG®320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)

用途：自動單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒

EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預(yù)對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。

特征

多達四個清潔站

全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理

可進行雙面清潔的邊緣處理（可選）

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高/效清潔

先進的遠程診斷

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程 EVG鍵合機跟應(yīng)用相對應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。山東ComBond鍵合機

EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。江蘇鍵合機可以免稅嗎

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar

腔室的打開/關(guān)閉：自動化

腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能：

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

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