導(dǎo)電氧化物膜厚儀試用

F40系列包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置FILMeasure8軟件FILMeasure讀立軟件(用于遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)分析)MA-Cmount安裝轉(zhuǎn)接器顯微鏡轉(zhuǎn)接器光纖連接線BK7參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度標(biāo)準(zhǔn)聚焦/厚度標(biāo)準(zhǔn)BG-Microscope(作為背景基準(zhǔn))額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃如果需要了解更多的信息，請訪問我們官網(wǎng)或者聯(lián)系我們。紫外光可測試的深度：***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力。導(dǎo)電氧化物膜厚儀試用

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個行業(yè),而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。測量范例氮化硅薄膜作為電介質(zhì)，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學(xué)性質(zhì)與薄膜的分子當(dāng)量緊密相關(guān)。使用Filmetrics專有的氮化硅擴(kuò)散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì)，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當(dāng)量。官方授權(quán)經(jīng)銷商膜厚儀供應(yīng)商家基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多數(shù)金屬) 上的話，一般不能測量薄膜的折射率。

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

F10-AR無須處理涂層背面我們探頭設(shè)計能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的鏡頭抑制的更多。就像我們所有的臺式儀器一樣，F(xiàn)10-AR需要連接到您裝有Windows計算機(jī)的USB端口上并在數(shù)分鐘內(nèi)即可完成設(shè)定。包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置FILMeasure8軟件FILMeasure獨(dú)力軟件(用于遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)分析)CP-1-1.3探頭BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)備用燈額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。 測量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。

光源用于一般用途應(yīng)用之光源L思-DDT2可用在Filmetrics設(shè)備的光源具有氘燈-鎢絲與遠(yuǎn)端控制的快門來取代舊款HamamatsuD2光源L思-DLED1具有高亮度白光LED的光源光纖配件：CP-RepairToolKitCP-1-1.3接觸探頭是相當(dāng)堅固的，但是光纖不能經(jīng)常被抽屜碰撞或者被椅子壓過。該套件包括指令，以及簡單的維修工具，新的和舊風(fēng)格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長，直徑200um的光纖，兩端配備SMA接頭。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32米長，分叉反射探頭。F40-UV范圍：4nm-40μm，波長：190-1100nm。官方授權(quán)經(jīng)銷商膜厚儀供應(yīng)商家

可見光可測試的深度，良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力。導(dǎo)電氧化物膜厚儀試用

（光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。

對于光學(xué)常數(shù)測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。

包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)簟?導(dǎo)電氧化物膜厚儀試用