規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DTKN0-6/TR

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-05

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。

特點(diǎn)與優(yōu)勢:

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V

· 輸出電流:300mA

· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機(jī)電流小于1μA

· 低壓降:在輸出電流為0.3A時(shí),壓降為141mV。

· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時(shí),PSRR高達(dá)70dB

· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差:±2%

· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域:

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM3018-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DTKN0-6/TR

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ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個(gè)雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓:±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路

· 瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):20A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):3A(8/20μs)

· 電容:CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機(jī)

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備,保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓,穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3013AESD9N5BM-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。

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ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設(shè)備,筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù),適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問題或需求,請隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。

WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 

描述

   WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4603E還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時(shí),輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V

2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V

3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)

4、電流限制精度:±20%

5、自動放電

6、反向阻斷(無“體二極管”)

7、過溫保護(hù)

應(yīng)用

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求,請隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WL2836D12-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。

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ESD5341N:單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD5341N包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)

· 低電容:CJ=1.0pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù),特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:TSOT-23-6L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5621W15

ESD54151N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DTKN0-6/TR

ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),可承受高達(dá)6A(8/20μs)的峰值脈沖電流

低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DTKN0-6/TR

深圳安美斯科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,不斷制造創(chuàng)新的市場高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績讓我們喜悅,但不會讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無限潛力,深圳安美斯科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,要不畏困難,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!