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ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述
ESD9B5VL是一個(gè)雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性
· 反向截止電壓:±5VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路
· 瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):20A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):3A(8/20μs)
· 電容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏電流:IR<1nAtyp
· 低箝位電壓:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
· 手機(jī)
· 平板電腦
· 筆記本電腦
· 其他便攜式設(shè)備
· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備,保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓,穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM2046-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:DFN-3L(1x0.6)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2167
WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關(guān),可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計(jì),如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個(gè)開關(guān)都是雙向的,對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(480Mbps)并保持信號完整性。
特性:
D+/D-上的特殊電路設(shè)計(jì),使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開啟。
SEL/OE引腳具有過壓保護(hù),允許電壓高于VCC,高達(dá)7.0V存在于引腳上,而不會損壞或中斷部件的操作,無論工作電壓如何。
還具有智能電路,用于至小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說,在實(shí)際應(yīng)用中,無需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。
應(yīng)用:
· 手機(jī)
· MID(移動設(shè)備)
· 路由器
· 其他電子設(shè)備
WAS7227Q是專為高速USB2.0設(shè)計(jì)的穩(wěn)定、高效CMOS開關(guān),適用于手持和消費(fèi)電子產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨(dú)特電路和過壓保護(hù)增強(qiáng)其可靠性,環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD54431ZESD73011N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006。
WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。
產(chǎn)品特性:
· 槽型技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器
· DC-DC轉(zhuǎn)換器
· 電路電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)充電
WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī),或是為LED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān)
描述
WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4603E還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時(shí),輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。
特性
1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V
2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V
3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)
4、電流限制精度:±20%
5、自動放電
6、反向阻斷(無“體二極管”)
7、過溫保護(hù)
應(yīng)用
· USB外設(shè)
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關(guān)
· 3.3V或5V電源分配
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求,請隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 SPD9811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管(TSS)封裝:SMB。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:±3.3VMax
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.2pFtyp
低漏電流
低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5411N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027ABENA0-4/TR
WNM3018-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2167
RB521C30:肖特基勢壘二極管
· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V
· 直流反向電壓 VR 30 V
· 平均整流正向電流 IO 100 mA
產(chǎn)品特性:
100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。
低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn),這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。
低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。
小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)備和小型電路板。
應(yīng)用領(lǐng)域:
RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中,它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號,這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,如電池供電的設(shè)備或需要長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2167
深圳安美斯科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標(biāo),有組織有體系的公司,堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明,攜手共畫藍(lán)圖,在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,也收獲了良好的用戶口碑,為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),也希望未來公司能成為*****,努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**深圳安美斯科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,共創(chuàng)佳績,一直以來,公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針,員工精誠努力,協(xié)同奮取,以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場,我們一直在路上!