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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-05

    它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見圖表-26。■從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?!隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅??下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。■首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27。 大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,高頻熔煉爐等。山東哪里有西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)

    通過(guò)上面對(duì)工作原理的分析可知,可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進(jìn)行轉(zhuǎn)換呢?狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢?下圖將會(huì)告訴你答案??煽毓柚饕獏?shù)⒈額定通態(tài)電流(IT)即大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間。 內(nèi)蒙古進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅哪家好它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。

    晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。為了克服上述問(wèn)題,可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流,這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰。

    可控硅模塊的控制方式:通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。滿足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>,標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V>1A。 雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。

普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正、反向電阻,電阻小時(shí),萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S,按一下按鈕開關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的??煽毓枘K的發(fā)展歷史比較悠久,發(fā)展到現(xiàn)代它的特點(diǎn)有很多,可應(yīng)用的范圍也非常廣。湖南哪里有西門康SEMIKRON可控硅代理商

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。山東哪里有西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)

    可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用??煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié),與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)??煽毓钁?yīng)用時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。 山東哪里有西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)

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