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其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,因而在選用的時(shí)候,額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值,稱為額定通態(tài)平均電流IT,簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安~一百多毫安,其數(shù)值與元件的溫度成反比,在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等,可選用普通單向晶閘管。 其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。江蘇進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家
圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況;而關(guān)斷過程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r(如圖中點(diǎn)劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴(kuò)散的過程。對(duì)于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時(shí)間t。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發(fā)后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%(對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%),這段時(shí)間稱為觸發(fā)延遲時(shí)間t。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時(shí)間(對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%)稱為上升時(shí)間t,開通時(shí)間t定義為兩者之和,即t=t+t通常晶閘管的開通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間,脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí),由于外電路電感的存在,其陽極電流在衰減時(shí)存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零,并在反方向流過反向恢復(fù)電流,經(jīng)過大值I后,再反方向衰減。同時(shí)。 北京哪里有Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。
通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管(英語:Thyristor),簡稱晶閘管,指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中國大陸通常簡稱可控硅,又稱半導(dǎo)體控制整流器,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,為一代半導(dǎo)體電力電子器件。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比,可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),用于無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)重大的突破,標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,其中一個(gè)分支即是以集成電路為的微電子器件,特點(diǎn)為小功率、集成化,作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件,特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年,美國通用電氣公司研發(fā)了世界上一個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR)。
測(cè)量任意兩腳間的電阻,當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽極A和陰極K)。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看,光控晶閘管亦有受光窗口,還有兩條管腳和殼體,酷似光電二極管。2.光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),控晶閘管可以等效成的電路??赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il為光電二極管的光電流;Ia為光控晶閘管陽極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知,Ia與Il成正比,即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí),光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,同時(shí)Il的增大。 晶閘管分為螺栓形和平板形兩種。
確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào),推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī),用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積;5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產(chǎn)生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以達(dá)到佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要依次固定,用力要均勻,反復(fù)幾次,直至牢固,使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后,垂直固定于機(jī)箱合適位置。(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱收縮。將接線端頭固定于模塊電極上,并保持良好的平面壓力接觸,嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。(4)為延長產(chǎn)品使用壽命,建議每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,更換一次導(dǎo)熱硅脂,表面灰塵,緊固各壓線螺釘。 其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。上海進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管哪家好
晶閘管為半控型電力電子器件。江蘇進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家
晶閘管是具有高耐壓容量與大電流容量的器件。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管,大直徑可達(dá)6英寸,單閥片耐壓值高可達(dá)11KV,的通流能力高可達(dá)4500A。在該領(lǐng)域比較的有瑞士的ABB以及國內(nèi)的株洲南車時(shí)代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力,國外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管:門極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實(shí)際使用。其中GTO的單片耐壓可達(dá),工況下通流能力可達(dá)4kA,而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的高耐壓可達(dá)10kV,通流能力可達(dá)。[1]針對(duì)脈沖功率電源中應(yīng)用的晶閘管,國內(nèi)還沒有廠家在這方面進(jìn)行研究,在國際上具有技術(shù)的是瑞士ABB公司。他們針對(duì)脈沖功率電源用大功率晶閘管進(jìn)行了十?dāng)?shù)年的研究。目前采用的較成熟的器件為GTO,其直徑為英寸,單片耐壓為,通常3個(gè)閥片串聯(lián)工作??梢猿惺艿碾娏鞣逯禐?20kA/90us,電流上升率di/dt高可承受。門極可承受觸發(fā)電流大值為800A,觸發(fā)電流上升率di/dt大為400A/us。其新研制出的IGCT擁有更好的性能,其直徑為英寸,單閥片耐壓值也是。大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA30us。 江蘇進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家