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    檢波肖特基二極管在電子電路中用來把調(diào)制在高頻電磁波上的低頻信號(hào)（如音頻信號(hào)）檢出來。一般高頻檢波電路選用鍺點(diǎn)接觸型檢波二極管。它的結(jié)電容小，反向電流小，工作頻率高。6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小，其大值為幾十皮法到幾百皮法，大區(qū)容與小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí)，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng)；當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣采用。 IXYS先后收購了ZILOG,WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司。浙江艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

    詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應(yīng)用肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。明顯的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管BJT的開關(guān)電路里面，通過在BJT上連接Shockley二極管來箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是74LS，74ALS，74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基。 湖南艾賽斯IXYS二極管模塊貨源充足二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。

    1、比較高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了比較高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。2、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和比較高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75℃時(shí)，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。3、比較大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時(shí)允許通過的比較大正向電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管比較大整流電流值。

    溫敏二極管PN結(jié)的壓降是溫度的函數(shù)，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結(jié)正向壓降下降2mV。用于測(cè)溫電路。精密二極管簡(jiǎn)稱PD，精密二極管是一種具有穩(wěn)定電壓和穩(wěn)定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩(wěn)定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時(shí)，電阻小，電流大，無光照時(shí)，電阻大，電流小紅外發(fā)射二極管紅外發(fā)光二極管是一種能發(fā)出紅外線的二極管，通常應(yīng)用于遙控器等場(chǎng)合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調(diào)制其輸出光的強(qiáng)弱。因?yàn)檩敵龉夤β逝c輸入電流之間多為線性關(guān)系，所以激光二極管可以采用模擬或數(shù)字電流直接調(diào)制輸出光的強(qiáng)弱防雷二極管常常用來保護(hù)對(duì)電壓很敏感的電信設(shè)備，防止雷擊和設(shè)備開關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)浪涌電壓將它們損壞。GDT是高阻抗的元件檢波二極管檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號(hào)檢出來的器件。 當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起漂移電流相等電平衡狀態(tài)。

    電路中電流增加很快，燈泡發(fā)光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見，在正向偏置情況下，二極管表現(xiàn)出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準(zhǔn)確描述這個(gè)物理現(xiàn)象，可以記錄每個(gè)電壓下對(duì)應(yīng)的電流，從而描繪成曲線，可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關(guān)系特性在圖(b)所示正向特性中，當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流幾乎為零(曲線OA段)，這時(shí)二極管并未真正導(dǎo)通，這一段所對(duì)應(yīng)的電壓稱為二極管的死區(qū)電壓或閾值電壓，通常硅管約為0．5V，鍺管約為0．2V。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流迅速增加，這時(shí)二極管才真正導(dǎo)通，由圖(b)可見，在A點(diǎn)以后曲線很陡，說明二極管兩端電壓幾乎恒定，硅管約為0．6～0．7V，鍺管約為0．2～0．3v。2．反向偏置與截止?fàn)顟B(tài)二極管陽極接低電位，陰極接高電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱為二極管的反向偏置。此時(shí)調(diào)節(jié)串聯(lián)在電路中的電阻大小發(fā)現(xiàn)，即使二極管兩端反向電壓較高時(shí)，電路中仍然幾乎沒有電流，燈泡不發(fā)光。當(dāng)二極管兩端反向電壓到達(dá)足夠大時(shí)(對(duì)于各種二極管該電壓數(shù)值不同)，二極管會(huì)突然導(dǎo)通，并造成二極管的長久損壞。同樣可將反向偏置情況下的二極管電流與電壓關(guān)系描繪成曲線。 面接觸型或稱面積型二極管的PN結(jié)是用合金法或擴(kuò)散法做成的。貴州代理艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話

二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管。浙江艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。 浙江艾賽斯IXYS二極管模塊銷售