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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-02-18

    ③由于此時(shí)整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關(guān),因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出,在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關(guān)于整流橋帶散熱器的熱阻時(shí),只可能是整流橋背面的結(jié)--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結(jié)--殼熱阻(正面和背面熱阻的并聯(lián));此時(shí)的結(jié)--環(huán)境的熱阻已經(jīng)沒(méi)有參考價(jià)值,因?yàn)樗请S著散熱器的熱阻而明顯地發(fā)生變化的。折疊殼溫確定整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷冷卻時(shí)殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計(jì)算,我們可以得出:在整流橋自然冷卻時(shí),我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)--環(huán)境熱阻(Rja),來(lái)計(jì)算整流橋的結(jié)溫,從而可以方便地檢驗(yàn)我們的設(shè)計(jì)是否達(dá)到功率元器件的溫度降額標(biāo)準(zhǔn);對(duì)整流橋采用不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷情況,由于在實(shí)際使用中很少采用,在此不予太多的討論。如果在應(yīng)用中的確涉及該種情形,可以借鑒整流橋自然冷卻的計(jì)算方法;對(duì)整流橋采用散熱器進(jìn)行冷卻時(shí),我們只能參考廠家給我們提供的結(jié)--殼熱阻(Rjc),通過(guò)測(cè)量整流橋的殼溫從而推算出其結(jié)溫,達(dá)到檢驗(yàn)?zāi)康?。在此,我們著重討論該?jì)算殼溫測(cè)量點(diǎn)的選取及其相關(guān)的計(jì)算方法,并提出一種在實(shí)際應(yīng)用中可行、在計(jì)算中又可靠的測(cè)量方法。 該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。廣東進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

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    這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于.℃),因此它對(duì)整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時(shí),這也驗(yàn)證了為什么我們?cè)诓捎谜鳂驓んw正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時(shí),對(duì)測(cè)溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?,得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說(shuō)明,在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4,所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測(cè)量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時(shí),應(yīng)著重注意該現(xiàn)象,力圖避免該影響對(duì)測(cè)量或測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生的影響。折疊結(jié)論通過(guò)前面對(duì)整流橋三種不同形式散熱的分析并結(jié)合對(duì)一整流橋詳細(xì)的仿真模型的分析結(jié)果,我們可以得出如下結(jié)論:1、在計(jì)算整流橋的結(jié)溫時(shí),其生產(chǎn)廠家所提供的Rjc(強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí))是指整流橋的結(jié)與散熱器相接觸的整流橋殼體表面間的熱阻;2、器件參數(shù)中所提供的Rja是指該器件在自然冷卻是結(jié)溫與周圍環(huán)境間的熱阻;3、對(duì)帶有散熱器的整流橋且為強(qiáng)迫風(fēng)冷散熱地殼溫測(cè)量時(shí),應(yīng)該采用與整流橋殼體相接觸的散熱器表面溫度作為計(jì)算的殼溫,必要時(shí)可以考慮整流橋與散熱器間的接觸熱阻。不應(yīng)該采用整流橋殼體正面上的溫度作為計(jì)算的殼溫。 重慶西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷整流二極管的一次導(dǎo)通過(guò)程,可視為一個(gè)“選**沖”,其脈沖重復(fù)頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率(50Hz)。

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    生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣。

    一插片、第二插片之間通過(guò)線圈架隔開(kāi),可以明顯增大爬電距離,從而提高了電氣性能和可靠性,提升了產(chǎn)品質(zhì)量;而且整流橋堆放置在線圈架繞線的不同側(cè),減少了線圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個(gè)繞組的二次損傷。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的圖。圖3為本實(shí)用新型線圈架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型整流橋堆的構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好的理解本實(shí)用新型方案,下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。如圖1-4所示,一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu),包線圈架1、繞組、插片組件及塑封殼,其中所述線圈架1為一塑料架,該線圈架1包括架體10、設(shè)在架體10上部的一限位凸部101及設(shè)在所述架體10下部的第二限位凸部102,所述一限位凸部101為與所述架體10一體成型的環(huán)片,所述第二限位凸部102與所述架體10一體成型的環(huán)片;在所述架體10上繞有的銅絲以形成所述繞組;在所述線圈架1上套入有塑封殼,所述塑封殼為常規(guī)的塑料外殼,該塑封殼與所述架體10相連以包著繞組。進(jìn)一步的,所述插接片組件包括一插片21和兩個(gè)第二插片22,所述一插片21為銅金屬片,該一插片21為兩個(gè)。 整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載,因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。

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    本實(shí)用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝,節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本,并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳,以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島;其中,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳;所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳,產(chǎn)生邏輯控制信號(hào);所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳;所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中,以此減小封裝成本。所以,本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效,而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的。流、全波整流以及橋式整流等。廣東進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

整流橋由控制器的控制角控制,當(dāng)控制角為0°~90°時(shí),整流橋處于整流狀態(tài),輸出電壓的平均值為正。廣東進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

    使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特點(diǎn),F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽(yáng)極)和三片是反燒(即芯片正面是陽(yáng)極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。4、外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問(wèn)題,通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔,實(shí)現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接,以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐。3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡(jiǎn)單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)。 廣東進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷