4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示。當(dāng)陽極A端加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號，使得BG2管有基極電流ib2通過，經(jīng)過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無法關(guān)斷，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。 按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。廣西進口西門康SEMIKRON可控硅銷售
可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體元器件，在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達）。可控硅模塊具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運行，且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子線路中?？煽毓枘K有很多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類可控硅模塊按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅模塊、門極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當(dāng)中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝。 河南西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。
它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多?！隹煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26?！鰪膱D表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?！隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅?？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理?！鍪紫?，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27。
早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時間1970年目錄1分類2優(yōu)點3規(guī)格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊優(yōu)點編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。 其通斷狀態(tài)由控制極G決定。
在門極G上加以正電壓或正脈沖信號，則GT0導(dǎo)通；當(dāng)門極上信號消失后，GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強的反向脈沖信號，可使GTO關(guān)斷。GTO在門極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號時，有一個反向偏置工作安全區(qū)問題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽極電流和陽極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來說，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖，在門極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說可控硅模塊無需極性判別。簡單的判別，可用數(shù)字萬用表的電阻擋位200Ω，測量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對應(yīng)。如不對應(yīng)表示模塊內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)損壞了。正常時k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個端點的電阻也應(yīng)該是14Ω。如果測得陰極k與門極G電阻值等于o時，說明元件內(nèi)部己經(jīng)短路擊穿損壞。上面三個電流緊固電極（1~AK2）、（2~K1）、（3~A）。2、將萬用表200MΩ擋位測量，它們之間的電阻值，均為∞無窮大均為好。如果它們?nèi)c之中其中有二點有電阻值，表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨分為一只可控硅看，為安全起見，采用24V直流穩(wěn)壓電源，與一直流24V5W燈泡如下圖進行簡單的判別。 雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。河南西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷
它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。廣西進口西門康SEMIKRON可控硅銷售
普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。廣西進口西門康SEMIKRON可控硅銷售