廣東哪里有西門康SEMIKRON二極管聯(lián)系方式

    正向?qū)щ姡聪虿粚?dǎo)電）晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時。 當(dāng)無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。廣東哪里有西門康SEMIKRON二極管聯(lián)系方式

    而整流電流值低的二極管則不能代換整流電流值高的二極管。整流二極管檢查方法編輯首先將整流器中的整流二極管全部拆下，用萬用表的100×R或1000×R歐姆檔，測量整流二極管的兩根引出線(頭、尾對調(diào)各測一次)。若兩次測得的電阻值相差很大，例如電阻值大的高達(dá)幾百KΩ到無窮大，而電阻值小的幾百Ω甚至更小，說明該二極管是好的(發(fā)生了軟擊穿的二極管除外)。若兩次測得的電阻值幾乎相等，而且電阻值很小，說明該二極管已被擊穿損壞，不能使用。如果兩次測量的阻值都是無窮大，說明此二極管已經(jīng)內(nèi)部斷開，不能使用。整流二極管常用型號編輯二極管型號，用途，高反向工作電壓VR，大平均整流電流IF1N4001硅整流二極管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二極管100V,1A,1N4003硅整流二極管200V,1A,1N4004硅整流二極管400V,1A,1N4005硅整流二極管600V,1A,1N4006硅整流二極管800V,1A,1N4007硅整流二極管1000V,1A,1N4148硅開關(guān)二極管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二極管50V,,(Ir=10uA,Vf=)1N5392硅整流二極管100V,,1N5393硅整流二極管200V,,1N5394硅整流二極管300V,,1N5395硅整流二極管400V,,1N5396硅整流二極管500V,,1N5397硅整流二極管600V,,1N5398硅整流二極管800V,。 河北哪里有西門康SEMIKRON二極管貨源充足目前，市場上有光伏防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。

    則指給定反向漏電流條件下的電壓值。（5）高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關(guān)電源中。（6）反向恢復(fù)時間trr：指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時間。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會發(fā)生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA。整流二極管損壞原因編輯（1）防雷、過電壓保護(hù)措施不力。整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置，即使設(shè)置了防雷、過電壓保護(hù)裝置，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管。（2）運(yùn)行條件惡劣。間接傳動的發(fā)電機(jī)組，因轉(zhuǎn)速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求，使發(fā)電機(jī)長期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作。

    2CP1554硅二極管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二極管Ir≤≤,≤,[1]整流二極管高頻整流二極管的特性與參數(shù)編輯開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn)，還應(yīng)具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復(fù)整流二極管;超快速恢復(fù)整流二極管;肖特基整流二極管?？焖倩謴?fù)和超快恢復(fù)整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，其范圍是從～。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，它們特別適合于在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。由于現(xiàn)代的開關(guān)電源工作頻率都在20kHz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復(fù)整流二極管和超快速恢復(fù)整流二極管的反向恢復(fù)時間莎Ⅱ減小到了毫微秒級，因此，提高了電源的效率。據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在選擇快速恢復(fù)整流二極管時，其反向恢復(fù)時間至少應(yīng)該是開關(guān)晶體管的上升時間的1/3。這兩種整流二極管還減少了開關(guān)電壓尖峰，而這種尖峰直接影響輸出直流電壓的紋波。另外，雖然某些稱為軟恢復(fù)型整流二極管的噪聲較小，但是它們的反向恢復(fù)時間較長，反向電流也較大，因而使得開關(guān)損耗增大，并不能滿足開關(guān)電源的工作要求。 整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。

    光二極管?紅外發(fā)光二極管?紅外接收二極管?激光二極管6主要應(yīng)用?電子電路應(yīng)用?工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用二極管結(jié)構(gòu)組成編輯二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。[4]采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。[4]由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。[4]各種二極管的符號二極管的電路符號如圖所示。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。[4]二極管工作原理編輯二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。[5]當(dāng)外界有正向電壓偏置時。 外殼是由塑膠材料制成，且在外殼上有均勻分布的窗口。河北代理西門康SEMIKRON二極管工廠直銷

因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開。廣東哪里有西門康SEMIKRON二極管聯(lián)系方式

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。 廣東哪里有西門康SEMIKRON二極管聯(lián)系方式