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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-18

    1、比較高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí),會(huì)將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全,規(guī)定了比較高反向工作電壓值。例如,IN4001二極管反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。2、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和比較高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時(shí)反向電流若為250uA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75℃時(shí),它的反向電流已達(dá)8mA,不失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時(shí)反向電流為5uA,溫度升高到75℃時(shí),反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。3、比較大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)允許通過(guò)的比較大正向電流值,其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過(guò)容許限度(硅管為141左右,鍺管為90左右)時(shí),就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下,二極管使用中不要超過(guò)二極管比較大整流電流值。 二極管可以被視為止回閥的電子版本。這種單向行為稱為整流,用于將交流電(ac)轉(zhuǎn)換為直流電(dc)。代理艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源

    [4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件,簡(jiǎn)稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似,發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi),外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電壓低、工作電流小,具有很強(qiáng)的抗振動(dòng)和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),廣用于信號(hào)指示等電路中。[4]在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái),這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄,其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。[4]二極管特性參數(shù)編輯用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。[4]二極管伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦?,二極管的伏安特性曲線如圖所示[5]。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極??;當(dāng)電壓超過(guò),電流開(kāi)始按指數(shù)規(guī)律增大,通常稱此為二極管的開(kāi)啟電壓;當(dāng)電壓達(dá)到約,二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓,用符號(hào)UD表示[4]。對(duì)于鍺二極管,開(kāi)啟電壓為。 福建艾賽斯IXYS二極管模塊廠家直銷早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。

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    電路中電流增加很快,燈泡發(fā)光。隨著電流增大,二極管VD兩端電壓維持在0.6~0.7V之間不再增加。由此可見(jiàn),在正向偏置情況下,二極管表現(xiàn)出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準(zhǔn)確描述這個(gè)物理現(xiàn)象,可以記錄每個(gè)電壓下對(duì)應(yīng)的電流,從而描繪成曲線,可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關(guān)系特性在圖(b)所示正向特性中,當(dāng)正向電壓較小時(shí),正向電流幾乎為零(曲線OA段),這時(shí)二極管并未真正導(dǎo)通,這一段所對(duì)應(yīng)的電壓稱為二極管的死區(qū)電壓或閾值電壓,通常硅管約為0.5V,鍺管約為0.2V。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓后,正向電流迅速增加,這時(shí)二極管才真正導(dǎo)通,由圖(b)可見(jiàn),在A點(diǎn)以后曲線很陡,說(shuō)明二極管兩端電壓幾乎恒定,硅管約為0.6~0.7V,鍺管約為0.2~0.3v。2.反向偏置與截止?fàn)顟B(tài)二極管陽(yáng)極接低電位,陰極接高電位,連接電路如圖(a)所示,這種連接稱為二極管的反向偏置。此時(shí)調(diào)節(jié)串聯(lián)在電路中的電阻大小發(fā)現(xiàn),即使二極管兩端反向電壓較高時(shí),電路中仍然幾乎沒(méi)有電流,燈泡不發(fā)光。當(dāng)二極管兩端反向電壓到達(dá)足夠大時(shí)(對(duì)于各種二極管該電壓數(shù)值不同),二極管會(huì)突然導(dǎo)通,并造成二極管的長(zhǎng)久損壞。同樣可將反向偏置情況下的二極管電流與電壓關(guān)系描繪成曲線。 半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。

    Schottky)二極管的大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時(shí)要全考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。1、肖特基二極管的作用及其接法-整流利用肖特基二極管單向?qū)щ娦?,可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。在電路中,電流只能從肖特基二極管的正極流入,負(fù)極流出。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí),位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子,能通過(guò)大電流,具有低的電壓降(典型值為),稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過(guò)很小的反向電流(稱反向漏電流),稱為反向阻斷狀態(tài)。肖特基二極管主要用于各種低頻半波整流電路,全波整流。整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)肖特基二極管封在一起。半橋是將四個(gè)肖特基二極管橋式整流的一半封在一起。 PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。上海艾賽斯IXYS二極管模塊貨源充足

貼片穩(wěn)壓二極管是電源電路中常用的元件之一,有別于普通二極管,工作在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)。代理艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí),小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。 代理艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源