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    并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管的類型二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起，形成一個“PN結(jié)”。由于是點(diǎn)接觸，只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安)，適用于高頻小電流電路，如收音機(jī)的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流。 導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。河北代理艾賽斯IXYS二極管模塊代理商

    正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時。 寧夏進(jìn)口艾賽斯IXYS二極管模塊銷售IXYS在亞洲,歐洲和北美設(shè)有分公司及代理商據(jù)點(diǎn),雇用1000多名技術(shù)熟練的工作人員在全球10個部門。

    可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當(dāng)反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通?？梢院雎圆挥?jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能，造成長久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通，反向偏置電壓下截止的特性，這個特性稱為單向?qū)щ娦?。[編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評價二極管性能的重要指標(biāo)，是正確選擇和使用二極管的依據(jù)，主要參數(shù)有：(1)大整流電流IFM指二極管長期工作時，允許通過二極管的大正向電流的平均值。當(dāng)實(shí)際電流超過該值時，二極管會因過熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實(shí)際使用中二極管反向電壓不應(yīng)超過此電壓值，以防發(fā)生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時的反向電流。如果該值較大，是不能正常使用的。反向電流愈小，二極管單向?qū)щ娦杂谩?

    外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當(dāng)相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補(bǔ)這個空位，使硼原子成了不能移動的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。 二極管常見的功能是允許電流沿一個方向（稱為二極管的正向）通過，而沿相反的方向（反向）阻止電流通過。

    外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[1]二極管原理應(yīng)用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。3.限幅二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈３植蛔儯ü韫転?，鍺管為）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4.續(xù)流在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用。5.檢波檢波二極管的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型。其結(jié)電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。6.阻尼阻尼二極管多用在高頻電壓電路中。 真空二極管和半導(dǎo)體二極管都可以用作散粒噪聲發(fā)生器。河北代理艾賽斯IXYS二極管模塊代理商

與PN結(jié)一樣，二極管具有單向?qū)щ娦浴：颖贝戆愃笽XYS二極管模塊代理商

    常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?SCHOTTKY:取第1個字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫，意為：表面貼裝器件，取第1個字母"S",上面兩個詞組各取第1個字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；電流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過440A的必定是模塊。肖特基的高電壓是200V,也就是說，肖特基的極限電壓是200V.超過200V電壓的也必定是模塊。電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。10A、20A、30A規(guī)格的有做到200V電壓。除此外，都沒有200V電壓規(guī)格。常見貼片封裝的肖特基型號BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23—MBR0520L、MBR0540:SOD-123—SS12、SS14:DO-214AC（SMA）—1ASL12、SL14:DO-214AC（SMA）—1ASK22:SK24:DO-214AA（SMB）—2ASK32:SK34:DO-214AB（SMC）—3AMBRD320、MBRD360:TO-252—3AMBRD620CT、MBRD660CT:TO-252—6AMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）—10AMBRB4045CT:TO-263（D2PAK）—40A常見插件封裝的肖特基型號MBR150、MBR160:DO-41,軸向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），軸向，DO-411N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），軸向。 河北代理艾賽斯IXYS二極管模塊代理商