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    二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開(kāi)與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)?，F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。 導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。甘肅進(jìn)口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話

    或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變?。环粗?，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對(duì)管又有：共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽(yáng)（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。3、常用的肖特基二極管常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型號(hào)。也就是常說(shuō)的插件封裝。 甘肅進(jìn)口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速二極管,肖特基,電源管理IC等。

    可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當(dāng)反向電壓不超過(guò)一定范圍(曲線OB段)時(shí)，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通?？梢院雎圆挥?jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時(shí)的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能，造成長(zhǎng)久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通，反向偏置電壓下截止的特性，這個(gè)特性稱為單向?qū)щ娦浴編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評(píng)價(jià)二極管性能的重要指標(biāo)，是正確選擇和使用二極管的依據(jù)，主要參數(shù)有：(1)大整流電流IFM指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)，允許通過(guò)二極管的大正向電流的平均值。當(dāng)實(shí)際電流超過(guò)該值時(shí)，二極管會(huì)因過(guò)熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實(shí)際使用中二極管反向電壓不應(yīng)超過(guò)此電壓值，以防發(fā)生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時(shí)的反向電流。如果該值較大，是不能正常使用的。反向電流愈小，二極管單向?qū)щ娦杂谩?

    幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過(guò)較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及高頻電路中。[1]二極管原理發(fā)光二極管編輯發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦?。但其正向工作電?開(kāi)啟電壓)比普通二極管高，約為1～，反向擊穿電壓比普通二極管低，約5V左右。當(dāng)正向電流達(dá)到1mA左右時(shí)開(kāi)始發(fā)光，發(fā)光強(qiáng)度近似與工作電流成正比；但工作電流達(dá)到一定數(shù)值時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度逐漸趨于飽和，與工作電流成非線性關(guān)系。一般小型發(fā)光二極管正向工作電流為10～20mA，大正向工作電流為30～50mA。發(fā)光二極管的外形可以做成矩形、圓形、字形、符號(hào)形等多種形狀，又有紅、綠、黃、橙、紅外等多種顏色。它具有體積小、功耗低、容易驅(qū)動(dòng)、光效高、發(fā)光均勻穩(wěn)定、響應(yīng)速度快以及壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，普遍用在指示燈及大屏幕顯示裝置中。 早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。

    導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值，內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱，特性電流迅速增長(zhǎng)，二極管正向?qū)ā＝凶鲩T坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向?qū)▔航导s為，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管會(huì)導(dǎo)通，這連接方式，稱為正向偏置。新疆代理艾賽斯IXYS二極管模塊廠家供應(yīng)

二極管真空管或熱電子二極管是一種具有兩個(gè)電極，一個(gè)加熱的陰極和一個(gè)板的真空管。甘肅進(jìn)口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話

    正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)。 甘肅進(jìn)口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話