假設其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻()是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻()的。于是我們可以得出如下結(jié)論:在自然冷卻的情況下，整流橋的散熱主要是通過其引腳線(輸出引腳正負極)與PCB板的焊盤來進行的。因此，在整流橋的損耗不大，并用自然冷卻方式進行散熱時，我們可以通過增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來改善其整流橋的散熱狀況。同時，我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內(nèi)二極管結(jié)溫到周圍環(huán)境間的總熱阻，即:其實這個熱阻也就是生產(chǎn)廠家在整流橋等元器件參數(shù)表中的所提供的結(jié)-環(huán)境的熱阻。并且在自然冷卻的情況，也只有該熱阻具有實在的參考價值，其它的諸如Rjc也沒有實在的計算依據(jù)，這一點可以通過在強迫風冷情況下的傳熱路徑的分析得出。折疊強迫風冷卻當整流橋等功率元器件的損耗較高時(>)，采用自然冷卻的方式已經(jīng)不能滿足其散熱的需求，此時就必須采用強迫風冷的方式來確保元器件的正常工作。采用強迫風冷時，可以分成兩種情況來考慮:a)整流橋不帶散熱器。 整流橋的整流作用是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯摹：Ｄ线M口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設置于所述采樣基島18上，接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs經(jīng)由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs，高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用四基島架構(gòu)，將整流橋、功率開關管、邏輯電路、高壓續(xù)流二極管及瞬態(tài)二極管集成在一個引線框架內(nèi)，由此降低封裝成本。如圖6所示，本實施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1，第四電容c4，變壓器，二極管d，第五電容c5，負載及第三采樣電阻rcs3。如圖6所示，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線，零線管腳n連接零線，信號地管腳gnd接地。如圖6所示，所述第四電容c4的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv，另一端接地。如圖6所示，所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv，另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。 海南進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。
所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，另一端接地。為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負載及第三采樣電阻；所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線，零線管腳連接零線，信號地管腳接地；所述第四電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳，另一端接地；所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳，另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的漏極管腳；所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管及所述第五電容連接所述第二線圈的另一端；所述二極管的正極連接所述變壓器的第二線圈，負極連接所述第五電容；所述負載連接于所述第五電容的兩端；所述第三采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，另一端接地。更可選地，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括電源地管腳，所述整流橋的第二輸出端通過基島或引線連接所述電源地管腳；所述電源地管腳與所述信號地管腳通過第二電感連接，所述電源地管腳與所述高壓供電管腳通過第六電容連接。
全橋由四只二極管組成,有四個引腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”。大多數(shù)的整流全橋上,均標注有“+”、“-”、“~”符號.(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。2)萬用表檢測法。如果組件的正、負極性標記已模糊不清,也可采用萬用表對其進行檢測。檢測時,將萬用表置“R×1k”擋,黑表筆接全橋組件的某個引腳,用紅表筆分別測量其余三個引腳,如果測得的阻值都為無窮大,則此黑表筆所接的引腳為全橋組件的直流輸出正極;如果測得的阻值均在4~l0kΩ范圍內(nèi),則此時黑表所接的引腳為全橋組件直流輸出負極,而其余的兩個引腳則是全橋組件的交流輸入引腳。 整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了。
所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設置為大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進而滿足高壓的安全間距要求。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，所述信號地管腳gnd的寬度大于，進一步設置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。在本實施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè)，所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說明的是，各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實際需要進行設定，不以本實施例為限。如圖1所示，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳。具體地，作為本實用新型的一種實現(xiàn)方式，所述整流橋包括四個整流二極管，各整流二極管的正極和負極分別通過基島或引線連接至對應管腳。在本實施例中，所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn)，其中，一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。 MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。浙江代理西門康SEMIKRON整流橋模塊銷售
整流橋由控制器的控制角控制,當控制角為0°～90°時，整流橋處于整流狀態(tài),輸出電壓的平均值為正。海南進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù)：目前照明領域led驅(qū)動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構(gòu)基本已經(jīng)定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問題。為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括：塑封體，設置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳。 海南進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式