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來源: 發(fā)布時間:2024-04-24

    公共柵極單元100與第1發(fā)射極單元101和第二發(fā)射極單元201之間通過刻蝕方式進行隔開;第二表面上設(shè)有工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200;接地區(qū)域30則設(shè)置于第1發(fā)射極單元101內(nèi)的任意位置處;電流檢測區(qū)域20和接地區(qū)域30分別用于與檢測電阻40連接,以使檢測電阻40上產(chǎn)生電壓,并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域10的工作電流。具體地,工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20具有公共柵極單元100和公共集電極單元200,此外,電流檢測區(qū)域20還具有第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202,檢測電阻40則分別與第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域30連接。此時,在電流檢測過程中,工作區(qū)域10由公共柵極單元100提供驅(qū)動,以使公共集電極單元200上的電流ic通過第二發(fā)射極單元201達(dá)到檢測電阻40,從而可以在檢測電阻40上產(chǎn)生測試電壓vs,進而可以根據(jù)該測試電壓vs檢測工作區(qū)域10的工作電流。因此,在上述電流檢測過程中,電流檢測區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201相當(dāng)于沒有公共柵極單元100提供驅(qū)動,即對于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流,電流檢測區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201只獲取空穴形成的電流作為檢測電流,從而避免了檢測電流受公共柵極單元100的電壓的影響。 IGBT模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。貴州代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售廠家

    該igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對設(shè)置;第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元,以及,工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,其中,第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接,公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開;第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元;接地區(qū)域設(shè)置于第1發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處;電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接,以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓,并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。第二方面,本發(fā)明實施例還提供一種半導(dǎo)體功率模塊,半導(dǎo)體功率模塊配置有第1方面的igbt芯片,還包括驅(qū)動集成塊和檢測電阻;其中,驅(qū)動集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接,以便于驅(qū)動工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域工作;以及,還與檢測電阻連接,用于獲取檢測電阻上的電壓。本發(fā)明實施例帶來了以下有益效果:本發(fā)明實施例提供了igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊,igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且。 天津進口英飛凌infineonIGBT模塊銷售這個電壓為系統(tǒng)的直流母線工作電壓。

    這部分在定義當(dāng)中沒有被提及的原因在于它實際上是個npnp的寄生晶閘管結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)對IGBT來說是個不希望存在的結(jié)構(gòu),因為寄生晶閘管在一定的條件下會發(fā)生閂鎖,讓IGBT失去柵控能力,這樣IGBT將無法自行關(guān)斷,從而導(dǎo)致IGBT的損壞。具體原理在這里暫時不講,后續(xù)再為大家更新。2、IGBT和BJT、MOSFET之間的因果故事BJT出現(xiàn)在MOSFET之前,而MOSFET出現(xiàn)在IGBT之前,所以我們從中間者MOSFET的出現(xiàn)來闡述三者的因果故事。MOSFET的出現(xiàn)可以追溯到20世紀(jì)30年代初。德國科學(xué)家Lilienfeld于1930年提出的場效應(yīng)晶體管概念吸引了許多該領(lǐng)域科學(xué)家的興趣,貝爾實驗室的Bardeem和Brattain在1947年的一次場效應(yīng)管發(fā)明嘗試中,意外發(fā)明了電接觸雙極晶體管(BJT)。兩年后,同樣來自貝爾實驗室的Shockley用少子注入理論闡明了BJT的工作原理,并提出了可實用化的結(jié)型晶體管概念。1960年,埃及科學(xué)家Attala及韓裔科學(xué)家Kahng在用二氧化硅改善BJT性能的過程中意外發(fā)明了MOSFET場效應(yīng)晶體管,此后MOSFET正式進入功率半導(dǎo)體行業(yè),并逐漸成為其中一大主力。發(fā)展到現(xiàn)在,MOSFET主要應(yīng)用于中小功率場合如電腦功率電源、家用電器等。

    20-電流檢測區(qū)域;201-第二發(fā)射極單元;202-第三發(fā)射極單元;30-接地區(qū)域;100-公共柵極單元;200-公共集電極單元;40-檢測電阻;2-第1發(fā)射極單元金屬;3-空穴收集區(qū)電極金屬;4-氧化物;5-多晶硅;6-n+源區(qū);7-p阱區(qū);8-空穴收集區(qū);9-n型耐壓漂移層;11-p+區(qū);12-公共集電極金屬;13-接觸多晶硅;50-半導(dǎo)體功率模塊;51-igbt芯片;52-驅(qū)動集成塊;521-模塊引線端子;522-導(dǎo)線;60-dcb板。具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖1所示,igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor,雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor,絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。在實際應(yīng)用中,igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,金氧半場效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor,電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。 英飛凌IGBT模塊是按殼溫Tc=80℃或100℃來標(biāo)稱其比較大允許通過的集電極電流(Ic)。

    MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件,在電子電路中會經(jīng)常出現(xiàn),它們在外形及特性參數(shù)上也比較相似,相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管,而有的卻需要用到IGBT管?它們之間有何區(qū)別呢?接下來冠華偉業(yè)為你解惑!何為MOS管?MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型”的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管,作用是防止VDD過壓的情況下,燒壞mos管,因為在過壓對MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。何為IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號,這時可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時還要注意IGBT有沒有體二極管,圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個二極管都是存在的。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的。 第四代IGBT命名的后綴為:T4,S4,E4,P4。天津進口英飛凌infineonIGBT模塊銷售

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    晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導(dǎo)通,稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時,管子不會導(dǎo)通,但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài),沒有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3.晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負(fù)載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1.正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓(VDRM、VRRM取其小者)2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)3.門極觸發(fā)電流IGT,門極觸發(fā)電壓UGT,(受溫度變化)4.通態(tài)平均電壓UT(AV)即管壓降5.維持電流IH與掣住電流IL6.開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT(AV)=A。 貴州代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售廠家