西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家供應(yīng)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-11

    本實(shí)用新型屬于電磁閥技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu)。背景技術(shù):大多數(shù)家用電器上使用的需要實(shí)現(xiàn)全波整流功能的進(jìn)水電磁閥,普遍將整流橋堆設(shè)置在電腦板等外部設(shè)備上,占用了電腦板上有限的空間,造成制造成本偏高,且有一定的故障率,一旦整流橋堆失效,整塊電腦板都將報(bào)廢。雖然目前市場(chǎng)上出現(xiàn)了內(nèi)嵌整流橋堆的進(jìn)水電磁閥,但有些由于繞組塑封的結(jié)構(gòu)不合理,金屬件之間的爬電距離設(shè)置過小,導(dǎo)致產(chǎn)品的電氣性能較差,安全性較差,在一些嚴(yán)酷條件下使用很容易損壞塑封,引起產(chǎn)品失效,嚴(yán)重的會(huì)燒毀家用電器;有些由于工藝過于復(fù)雜,橋堆跟線圈在同一側(cè),導(dǎo)致橋堆在線圈發(fā)熱時(shí)損傷。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種電氣性能和可靠性高的電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu),包括線圈架、設(shè)于所述線圈架上的繞組、設(shè)于所述線圈架上的插片組件及套設(shè)于所述線圈架外的塑封殼,所述插片組件設(shè)于線圈架上部的一插片和與所述線圈架上部插接配合的多個(gè)第二插片;所述一插片與所述第二插片通過整流橋堆電連。推薦的,所述一插片為兩個(gè)。 該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家供應(yīng)

整流橋模塊的作用是什么:整流橋模塊的功能,是將由交流配電單元提供的交流電,變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環(huán)控制的諧振開關(guān)電源技術(shù),具有穩(wěn)壓精度高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快的特點(diǎn)。整流模塊內(nèi)置MCU,全智能控制,可實(shí)現(xiàn)單機(jī)或多機(jī)并聯(lián)運(yùn)行。模塊可以帶電熱插拔,日常維護(hù)方便快捷。采用多級(jí)吸收,具有過壓、欠壓、短路、過流、過熱等自動(dòng)保護(hù)及自動(dòng)恢復(fù)運(yùn)行功能。散熱條件的好壞,直接影響模塊的可靠和安全。不同型號(hào)模塊在其額定電流工作狀態(tài)下,環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需散熱器尺寸、風(fēng)機(jī)的規(guī)格各不相同。重慶西門康SEMIKRON整流橋模塊推薦貨源一般整流橋應(yīng)用時(shí),常在其負(fù)載端接有平波電抗器,故可將其負(fù)載視為恒流源。

    生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣。

    ③由于此時(shí)整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關(guān),因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出,在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關(guān)于整流橋帶散熱器的熱阻時(shí),只可能是整流橋背面的結(jié)--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結(jié)--殼熱阻(正面和背面熱阻的并聯(lián));此時(shí)的結(jié)--環(huán)境的熱阻已經(jīng)沒有參考價(jià)值,因?yàn)樗请S著散熱器的熱阻而明顯地發(fā)生變化的。折疊殼溫確定整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷冷卻時(shí)殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計(jì)算,我們可以得出:在整流橋自然冷卻時(shí),我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)--環(huán)境熱阻(Rja),來計(jì)算整流橋的結(jié)溫,從而可以方便地檢驗(yàn)我們的設(shè)計(jì)是否達(dá)到功率元器件的溫度降額標(biāo)準(zhǔn);對(duì)整流橋采用不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷情況,由于在實(shí)際使用中很少采用,在此不予太多的討論。如果在應(yīng)用中的確涉及該種情形,可以借鑒整流橋自然冷卻的計(jì)算方法;對(duì)整流橋采用散熱器進(jìn)行冷卻時(shí),我們只能參考廠家給我們提供的結(jié)--殼熱阻(Rjc),通過測(cè)量整流橋的殼溫從而推算出其結(jié)溫,達(dá)到檢驗(yàn)?zāi)康?。在此,我們著重討論該?jì)算殼溫測(cè)量點(diǎn)的選取及其相關(guān)的計(jì)算方法,并提出一種在實(shí)際應(yīng)用中可行、在計(jì)算中又可靠的測(cè)量方法。 而整流橋就是整流器的一種,另外,可以說整流二極管是**簡(jiǎn)單的整流器。

    所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv,負(fù)極連接所述漏極管腳drain。如圖2所示,所述一采樣電阻rcs1的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,適用于高壓線性(3w~12w)。實(shí)施例二如圖3所示,本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),與實(shí)施例一的不同之處在于,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括高壓續(xù)流二極管df,且功率開關(guān)管121及邏輯電路122分立設(shè)置。如圖3所示,在本實(shí)施例中,所述高壓續(xù)流二極管df采用n型二極管,所述高壓續(xù)流二極管df的負(fù)極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極通過金屬引線連接漏極基島15,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述漏極管腳drain的連接。需要說明的是,所述高壓續(xù)流二極管df也可采用p型二極管,粘接于漏極基島15上,在此不一一贅述。如圖3所示,所述功率開關(guān)管121的漏極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述漏極基島15上,源極s通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。所述邏輯電路122為芯片結(jié)構(gòu),其底面為絕緣材料,設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上,控制信號(hào)輸出端out通過金屬引線連接所述功率開關(guān)管121的柵極g,采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。 由于一般整流橋應(yīng)用時(shí),常在其負(fù)載端接有平波電抗器,故可將其負(fù)載視為恒流源。吉林代理西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式

有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家供應(yīng)

    因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來代替整流橋的殼溫,這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn),還不會(huì)給終的計(jì)算帶來不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手,用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程,在此本文通過仿真軟件詳細(xì)的整流橋模型來對(duì)帶有散熱器、強(qiáng)迫風(fēng)冷下的整流橋散熱問題進(jìn)行進(jìn)一步的闡述。圖5、仿真計(jì)算模型如上圖是仿真計(jì)算的模型外型圖。在該模型中,通過解剖一整流橋后得到的相關(guān)尺寸參數(shù)來進(jìn)行仿真分析模型的建立。其仿真分析結(jié)果如下所示:圖6、整流橋散熱器基板溫度分布有上圖可以看出,整流橋散熱器的基板溫度分布相對(duì)而言還是比較均勻的,約70℃左右。即使在四個(gè)二極管正下方的溫度與整流橋殼體背面與散熱器相接觸的外邊緣,也只有5℃左右的溫差。這主要是由于散熱器基板是一有一定厚度且導(dǎo)熱性能較好的鋁板,它能夠有效地把整流橋背面的不均勻溫度進(jìn)行均勻化。整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109℃,然而在整流橋的中間位置,遠(yuǎn)離熱源處卻只有75℃,其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。 西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家供應(yīng)