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    圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線(xiàn)波形）。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的開(kāi)通過(guò)程就是載流子不斷擴(kuò)散的過(guò)程。對(duì)于晶閘管的開(kāi)通過(guò)程主要關(guān)注的是晶閘管的開(kāi)通時(shí)間t。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過(guò)程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽(yáng)極電流只能逐漸上升。從門(mén)極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽(yáng)極電壓降到額定值的90%），這段時(shí)間稱(chēng)為觸發(fā)延遲時(shí)間t。陽(yáng)極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時(shí)間（對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽(yáng)極電壓由90%降到10%）稱(chēng)為上升時(shí)間t，開(kāi)通時(shí)間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開(kāi)通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過(guò)程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，由于外電路電感的存在，其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)存在過(guò)渡過(guò)程。陽(yáng)極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過(guò)反向恢復(fù)電流，經(jīng)過(guò)大值I后，再反方向衰減。同時(shí)。 逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。四川代理Infineon英飛凌晶閘管模塊廠(chǎng)家直銷(xiāo)

    在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開(kāi)芯盒再取出芯片，觀(guān)察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。 四川代理Infineon英飛凌晶閘管模塊廠(chǎng)家直銷(xiāo)大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。

    或使流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，當(dāng)控制極G加上正脈沖電壓時(shí)晶閘管導(dǎo)通，當(dāng)控制極G加上負(fù)脈沖電壓時(shí)晶閘管關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管是理想的高電壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。例如，DG系列大功率叮關(guān)斷晶閘管高電壓可達(dá)4500v、大電流可達(dá)3000A。怎樣檢測(cè)晶閘管晶閘管可用萬(wàn)用表電阻擋進(jìn)行檢測(cè)，下面分別介紹不同類(lèi)型晶閘管的檢測(cè)方法。(1)檢測(cè)單向晶閘管首先將萬(wàn)用表置于“RX10Ω”擋，黑表筆（表內(nèi)電池正極，接控制極G，紅表筆接陰極K，如圖4-57所示，這時(shí)測(cè)量的是PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆后測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。黑表筆仍接控制極G，紅表筆改接至陽(yáng)極A，阻值應(yīng)為無(wú)窮大，如圖4-58所示。對(duì)凋兩表筆后冉測(cè)，阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，正常情況下正、反向電阻均為無(wú)窮大。接著檢測(cè)導(dǎo)通特性，將萬(wàn)用表置于“RX1Ω”擋，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。用螺釘旋具等金屬物將控制極G與陽(yáng)極A短接一下（短接后即斷開(kāi)），表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處，如圖4-59所示。否則說(shuō)明該品閘管已損壞。(2)檢測(cè)雙向晶閘管檢測(cè)時(shí)，萬(wàn)用表置于“RX1Ω”擋。

    三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個(gè)10000A以?xún)?nèi)的晶閘管元件的設(shè)備，外接脈沖功放板，適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備。具有完善故障、報(bào)警檢測(cè)和保護(hù)功能。實(shí)時(shí)檢測(cè)過(guò)流、過(guò)壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障。設(shè)有開(kāi)機(jī)給定回零、軟啟動(dòng)、截流、截壓、急停保護(hù)。調(diào)試簡(jiǎn)便，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬(wàn)用表。每一塊控制板均經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的軟件測(cè)試、硬件老化，以確保工作穩(wěn)定可靠。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調(diào)壓，副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過(guò)2000M。⑵環(huán)境溫度：-40℃-+50℃。⑶空氣大相對(duì)濕度不超過(guò)90%(在相當(dāng)于空氣溫度20±5℃)。⑷運(yùn)行地點(diǎn)無(wú)導(dǎo)電塵埃，沒(méi)有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊。三相晶閘管觸發(fā)板工作原理本控制板是以工業(yè)級(jí)的單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng)。 晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又被稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上一款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門(mén)極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極失去作用。門(mén)極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。 晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷，觸發(fā)導(dǎo)通，反向阻斷。四川代理Infineon英飛凌晶閘管模塊廠(chǎng)家直銷(xiāo)

其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。四川代理Infineon英飛凌晶閘管模塊廠(chǎng)家直銷(xiāo)

    dv/dt）晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變化時(shí)，就有很大的位移電流流過(guò)元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用?？赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生，快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來(lái)，即使電壓上升率較高，晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零，不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高，結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大，在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí)，晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管，用控制極電流觸發(fā)時(shí)，控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極。只是當(dāng)控制極電流足夠大，在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大，PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí)，才同沒(méi)有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣，可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此，快速晶閘管的抗干擾能力較好?？焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關(guān)斷時(shí)間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時(shí)還做出了工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品應(yīng)用于大功率直流開(kāi)關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車(chē)輛調(diào)速等領(lǐng)域。 四川代理Infineon英飛凌晶閘管模塊廠(chǎng)家直銷(xiāo)