具有門極輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、電流關斷能力強、開關速度快、開關損耗小等優(yōu)點。隨著下游應用發(fā)展越來越快,MOSFET的電流能力顯然已經(jīng)不能滿足市場需求。為了在保留MOSFET優(yōu)點的前提下降低器件的導通電阻,人們曾經(jīng)嘗試通過提高MOSFET襯底的摻雜濃度以降低導通電阻,但襯底摻雜的提高會降低器件的耐壓。這顯然不是理想的改進辦法。但是如果在MOSFET結構的基礎上引入一個雙極型BJT結構,就不僅能夠保留MOSFET原有優(yōu)點,還可以通過BJT結構的少數(shù)載流子注入效應對n漂移區(qū)的電導率進行調(diào)制,從而有效降低n漂移區(qū)的電阻率,提高器件的電流能力。經(jīng)過后續(xù)不斷的改進,目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V—6500V的電壓范圍,應用涵蓋從工業(yè)電源、變頻器、新能源汽車、新能源發(fā)電到軌道交通、國家電網(wǎng)等一系列領域。IGBT憑借其高輸入阻抗、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小等優(yōu)點在龐大的功率器件世界中贏得了自己的一片領域??傮w來說,BJT、MOSFET、IGBT三者的關系就像下面這匹馬當然更準確來說,這三者雖然在之前的基礎上進行了改進,但并非是完全替代的關系,三者在功率器件市場都各有所長,應用領域也不完全重合。因此,在時間上可以將其看做祖孫三代的關系。 盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。云南哪里有SEMIKRON西門康IGBT模塊代理商
增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定,然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻,交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓(脈沖調(diào)壓)斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換,用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車(叉車)、電氣汽車等,高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態(tài)開關(固態(tài)開關)作為功率開關元件,代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合晶閘管導通條件:晶閘管加上正向陽極電壓后,門極加上適當正向門極電壓,使晶閘管導通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導通后,門極就對它失去控制作用,通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可,稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導通,但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷,可降低陽極電壓,或增大負載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當門極斷開時,晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流),電流會突然降到零,之后再提高電壓或減小負載電阻,電流不會再增大,說明晶閘管已恢復阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,可以總結出:1.門極斷開時。 福建哪里有SEMIKRON西門康IGBT模塊廠家供應IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品。
對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結構圖;圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖;圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖;圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖;圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖;圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖;圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖10為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖11為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖14為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖15為本發(fā)明實施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖;圖16為本發(fā)明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標:1-電流傳感器;10-工作區(qū)域;101-第1發(fā)射極單元。
一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。通俗來講:IGBT是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。二、IGBT模塊IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的優(yōu)點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 它與GTR的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。
MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻??偟膩碚f,MOSFET優(yōu)點是高頻特性好,可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz,缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn),其導通電阻小,耐壓高。選擇MOS管還是IGBT?在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:人們常問:“是MOSFET好還是IGBT好?”其實兩者沒有什么好壞之分,i主要的還是看其實際應用情況。關于MOSFET與IGBT的區(qū)別,您若還有疑問,可以詳詢冠華偉業(yè)。深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司,主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產(chǎn)品,產(chǎn)品用于、LED/LCD驅(qū)動板、馬達驅(qū)動板、快充、、液晶顯示器、電源、小家電、醫(yī)療產(chǎn)品、藍牙產(chǎn)品、電子秤、車載電子、網(wǎng)絡類產(chǎn)品、民用家電、電腦周邊及各種數(shù)碼產(chǎn)品。 電動汽車概念也火的一塌糊涂,西門康推出了650V等級的IGBT,專門用于電動汽車行業(yè)。山西進口SEMIKRON西門康IGBT模塊代理商
IGBT的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。云南哪里有SEMIKRON西門康IGBT模塊代理商
IGBT與MOSFET的開關速度比較因功率MOSFET具有開關速度快,峰值電流大,容易驅(qū)動,安全工作區(qū)寬,dV/dt耐量高等優(yōu)點,在小功率電子設備中得到了廣泛應用。但是由于導通特性受和額定電壓的影響很大,而且工作電壓較高時,MOSFET固有的反向二極管導致通態(tài)電阻增加,因此在大功率電子設備中的應用受至限制。IGBT是少子器件,它不但具有非常好的導通特性,而且也具有功率MOSFET的許多特性,如容易驅(qū)動,安全工作區(qū)寬,峰值電流大,堅固耐用等,一般來講,IGBT的開關速度低于功率MOSET,但是IR公司新系列IGBT的開關特性非常接近功率MOSFET,而且導通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT內(nèi)部不存在反向二極管,用戶可以靈活選用外接恢復二極管,這個特性是優(yōu)點還是缺點,應根據(jù)工作頻率,二極管的價格和電流容量等參數(shù)來衡量。IGBT的內(nèi)部結構,電路符號及等效電路如圖1所示。可以看出,2020-03-30開關電源設計:何時選擇BJT優(yōu)于MOSFET開關電源電氣可靠性設計1供電方式的選擇集中式供電系統(tǒng)各輸出之間的偏差以及由于傳輸距離的不同而造成的壓差降低了供電質(zhì)量,而且應用單臺電源供電,當電源發(fā)生故障時可能導致系統(tǒng)癱瘓。分布式供電系統(tǒng)因供電單元靠近負載,改善了動態(tài)響應特性。 云南哪里有SEMIKRON西門康IGBT模塊代理商