湖北哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-23

    所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上,接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd,漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs經(jīng)由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs,高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用四基島架構(gòu),將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、高壓續(xù)流二極管及瞬態(tài)二極管集成在一個(gè)引線框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖6所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,第四電容c4,變壓器,二極管d,第五電容c5,負(fù)載及第三采樣電阻rcs3。如圖6所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號(hào)地管腳gnd接地。如圖6所示,所述第四電容c4的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖6所示,所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。 整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,兩只的為半橋,四只的則稱全橋。湖北哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊

    所述負(fù)載連接于所述第三電容的兩端;所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳,另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型還提供一種電源模組,所述電源模組至少包括:上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),第四電容,變壓器,二極管,第五電容,負(fù)載及第三采樣電阻;所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線,零線管腳連接零線,信號(hào)地管腳接地;所述第四電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端接地;所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的漏極管腳;所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管及所述第五電容連接所述第二線圈的另一端;所述二極管的正極連接所述變壓器的第二線圈,負(fù)極連接所述第五電容;所述負(fù)載連接于所述第五電容的兩端;所述第三采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳,另一端接地。更可選地,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括電源地管腳,所述整流橋的第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述電源地管腳;所述電源地管腳與所述信號(hào)地管腳通過(guò)第二電感連接,所述電源地管腳與所述高壓供電管腳通過(guò)第六電容連接。 新疆哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊貨源充足整流橋堆一般用在全波整流電路中,它又分為全橋與半橋。

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù):目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用,由于用量十分巨大,對(duì)于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件,同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來(lái)說(shuō)成本節(jié)省有限,基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成,系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片,導(dǎo)致芯片的封裝成本高,基本上占到了芯片成本的一半左右,因此,如何節(jié)省封裝成本,已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳。

    所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示,所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈,負(fù)極連接所述第五電容c5。如圖6所示,所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極,負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn)。如圖6所示,所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,適用于兩繞組flyback(3w~25w)。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),與實(shí)施例一~三的不同之處在于,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd,所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號(hào)地管腳gnd,而連接所述電源地管腳bgnd,相應(yīng)地,所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改,在此不一一贅述。如圖7所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于,所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。 傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離,整流變壓器的等效容量大,體積龐大。

    整流橋模塊作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,通過(guò)二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們?cè)谕庥^上看見(jiàn)的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。由于一般整流橋模塊都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹(shù)脂。然而,環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,比較高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻。 當(dāng)控制角為90°~180°-γ時(shí)(γ為換弧角),整流橋處于逆變狀態(tài),輸出電壓的平均值為負(fù)。陜西西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家直銷

整流橋可以有4個(gè)單獨(dú)的二極管連接而成。湖北哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊

    因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來(lái)代替整流橋的殼溫,這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn),還不會(huì)給終的計(jì)算帶來(lái)不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手,用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過(guò)程,在此本文通過(guò)仿真軟件詳細(xì)的整流橋模型來(lái)對(duì)帶有散熱器、強(qiáng)迫風(fēng)冷下的整流橋散熱問(wèn)題進(jìn)行進(jìn)一步的闡述。圖5、仿真計(jì)算模型如上圖是仿真計(jì)算的模型外型圖。在該模型中,通過(guò)解剖一整流橋后得到的相關(guān)尺寸參數(shù)來(lái)進(jìn)行仿真分析模型的建立。其仿真分析結(jié)果如下所示:圖6、整流橋散熱器基板溫度分布有上圖可以看出,整流橋散熱器的基板溫度分布相對(duì)而言還是比較均勻的,約70℃左右。即使在四個(gè)二極管正下方的溫度與整流橋殼體背面與散熱器相接觸的外邊緣,也只有5℃左右的溫差。這主要是由于散熱器基板是一有一定厚度且導(dǎo)熱性能較好的鋁板,它能夠有效地把整流橋背面的不均勻溫度進(jìn)行均勻化。整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109℃,然而在整流橋的中間位置,遠(yuǎn)離熱源處卻只有75℃,其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。 湖北哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊