HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅(qū)動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應(yīng)用（xEV）進行了優(yōu)化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設(shè)計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有短路耐用表現(xiàn)，阻斷電壓得以增加，可在苛刻的環(huán)境條件下實現(xiàn)可靠的逆變器表現(xiàn)。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動力車和電動車中IGBT模塊所需的完整功率譜。各種產(chǎn)品版本是通過產(chǎn)品組合中的套件創(chuàng)新和芯片開發(fā)實現(xiàn)的。二極管由管芯、管殼和兩個電極構(gòu)成。管芯是一個PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個引線，并用塑料。重慶模塊加工廠
我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應(yīng)用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù)。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關(guān)配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應(yīng)用）等應(yīng)用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢。安徽模塊裝潢完整的模塊封裝技術(shù)組合，一站式 購齊。
三、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成，不同的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢?！癒T3”由于開關(guān)速度更快，對吸收與布線要求更高。若開關(guān)頻率在10KHz－15KHz之間，請使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對于fk≤15KHz的應(yīng)用場合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。當開關(guān)頻率fk≥15KHz時，開關(guān)損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小。比較好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當然對于fk在15KHz－20KHz之間時，“DN2”系列也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開關(guān)工作頻率可達40KHz；若是軟開關(guān)，可工作在150KHz左右。IGBT在高頻下工作時。
IGBT的Uge幅值也影響著飽和導通壓降：Uge增加，飽和導通壓降將減小。由于飽和導通壓降是IGBT發(fā)熱的主要原因之一，因此必須盡量減小。通常Uge為15至18V，若過高，容易造成柵極擊穿。一般取15V，IGBT關(guān)斷時給其柵極發(fā)射極加一負偏壓有利于提高IGBT的抗干擾的能力，通常取5到10V。、下降速率對IGBT的開通和關(guān)斷過程有著較大的影響。在高頻應(yīng)用場合，驅(qū)動電壓的上升、下降速率應(yīng)盡量快一些，以提高IGBT的開關(guān)速度，降低損耗。減小柵極串聯(lián)電阻，可以提高IGBT的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，用戶可根據(jù)實際應(yīng)用的頻率范圍，選擇合適的柵極驅(qū)動電阻，也可以選擇開通和關(guān)斷不同的柵極串聯(lián)電阻值。在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續(xù)流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導致IGBT損壞。因此應(yīng)該降低柵極驅(qū)動電壓的上升速率,既增加柵極串聯(lián)電阻的阻值，抑制該電流的峰值。其代價是較大的開通損耗。利用此技術(shù)，開通過程的電流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT開通過程影響較大，而對關(guān)斷過程影響小一些，串聯(lián)電阻小有利于加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負載電源接通。
功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅(qū)動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產(chǎn)生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內(nèi)的磁心會在某半周積累剩磁，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象，經(jīng)過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài)。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發(fā)。橋式電路的另一缺點是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區(qū)間出現(xiàn)重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅(qū)動的角度出發(fā)、設(shè)計的驅(qū)動電路必須滿足四路驅(qū)動的波形完全對稱，嚴格限制比較大工作脈寬，保證死區(qū)時間足夠，，其驅(qū)動與MOSFET驅(qū)動相似，是電壓控制器件，驅(qū)動功率小。但IGBT的柵極與發(fā)射極之間、柵極與集電極之間存在著結(jié)間電容，在它的射極回路中存在著漏電感，由于這些分布參數(shù)的影響，使得IGBT的驅(qū)動波形與理想驅(qū)動波形產(chǎn)生較大的變化，并產(chǎn)生了不利于IGBT開通和關(guān)斷的因素。IGBT開關(guān)等效電路如圖2a所示。E是驅(qū)動信號源，R是驅(qū)動電路內(nèi)陰，Rg為柵極串聯(lián)電阻Cge、Cgc分別為柵極與發(fā)射極、集電極之間的寄生電容。二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且?guī)缀鹾愣?。硅管的管壓降約為0.7V。重慶模塊加工廠
并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。重慶模塊加工廠
原標題：干貨|大功率IGBT模塊及驅(qū)動技術(shù)電力電子技術(shù)在當今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動igbt工作，也成為越來越多的設(shè)計工程師面臨需要解決的課題。在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中，大功率igbt驅(qū)動保護電路起到弱電控制強電的終端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以將該電路看成是一個相對**的“子系統(tǒng)”來研究、開發(fā)及設(shè)計。大功率igbt驅(qū)動保護電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，現(xiàn)在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅(qū)動保護電路**產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計工程師的優(yōu)先;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求，自行研制出各種**的大功率igbt驅(qū)動保護電路。本文對這些大功率igbt驅(qū)動保護電路進行分類，并對該電路需要達到的一些功能進行闡述，***展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動保護電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場合。來源：電力電子技術(shù)與新能源，智享汽車圈返回搜狐。重慶模塊加工廠
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